退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
罗长得; 严启荣; 李正凯; 郑树文; 牛巧利; 章勇;
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631;
AlGaN垒层; GaN垒层; 双蓝光波长; 发光二极管;
机译:基于应变补偿InGaN-AlGaN / GaN量子阱的双蓝光发光二极管
机译:GaN / AlGaN /溅射ALN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:带有渐变超晶格AlGaN / GaN插入层的绿色GaN基发光二极管的性能增强
机译:摩尔分数对单量子阱基INXGA1-XN / GaN蓝光发光二极管功率谱密度的影响
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势
机译:GaN / alGaN耦合量子阱中工程子带间非线性在宽带宽应用中的优化性能
机译:不包含AlGaN电子阻挡层的氮化镓基发光二极管为p型GaN,且薄
机译:GaN / AlGaN /或AlGaN / AlGaN量子阱结构的形成方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。