发光二极管

摘要： 如果说近代音响都是西电的子子孙孙,你一定会不服气,但事实又是如此,不但音响是西电发明并定下各种标准,而且西电还是整个人类现代科技的奠基人,西电旗下的贝尔实验室,是晶体管、激光器、太阳能电池、发光二极管、数字交换机、通信卫星、电子数字计算机、蜂窝移动通信设备、长途电视传送,仿真语言、有声电影、立体声录音,以及通信网的许多重大发明的诞生地,从1939年展示的O vodero电子语音合成装置到现在最先进的语音合成及识别等。

摘要： 光生物调节(PBM)是指利用可见光到近红外光的非热效应来产生相关生理效应。大脑PBM是一种具有前景的治疗方式,通过该手段可将由激光或发光二极管发出的光传送至头皮,以刺激神经细胞和大脑功能。本研究调查了单刺激对轻度认知障碍(MCI)老年人记忆的影响。受试者是22名被诊断为MCI的成年人,他们在短时记忆问卷中得分为3分或以下。随机将受试者分为真或假PBM。

摘要： 本研究采用中短波紫外线和发光二极管(light emitting diode,LED)蓝光联合处理鲜切杏鲍菇,探究光处理对鲜切杏鲍菇贮藏品质的影响。结果表明,光处理可有效保持鲜切杏鲍菇的色泽,延缓总酚、类黄酮及VC含量下降,同时抑制微生物的生长;鲜切杏鲍菇经LED蓝光结合中波紫外线(ultraviolet-B,UV-B)和短波紫外线(ultraviolet-C,UV-C)处理后,VD2的含量可达0.77μg/100 g mw,可溶性蛋白含量在贮藏第2天较初始提高了20.85%,在贮藏第10天时还原糖含量是对照组的2.06倍;LED蓝光结合UV-C/B处理增强了活性氧代谢、次生代谢相关酶的活力,抑制了超氧阴离子自由基(O_(2)^(-)·)的产生;鲜切杏鲍菇微观结构表明LED蓝光和UV-C/B光波处理均可抑制细胞壁、线粒体的降解。综上所述,LED蓝光结合UV-C/B处理可以较好地保持鲜切杏鲍菇的贮藏品质和营养价值,有效延长贮藏期。

摘要： 通过简单的方法获得基于碳纳米点的固态荧光材料,实现该类材料在光电器件领域的应用研究有着重要的意义。然而,由于聚集诱导猝灭效应的存在,合成该类材料仍面临着严峻的挑战。本文报道了一种简单热解合成硫(S)和氮(N)共掺杂荧光碳点晶态材料的方法。优化制备条件后,获得的材料能发出耀眼的橙红色荧光,这是由于在形成碳点的同时,碳点的周围形成了以邻苯二甲酸为前体的晶态物,该晶态物对碳点形成了保护屏障,阻碍了碳点的聚集,弱化了碳点的光猝灭效应。此外,由于硫和氮的共掺杂作用,该材料发光呈现出多峰发射的特征,这赋予了该荧光材料在封装白光发光二极管方面的优势。因此,除实现发光二极管器件的橙色发光外,该材料与商用荧光粉(黄绿色的SiAlON∶Eu^(2+)和蓝色的BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+))相结合,在色度坐标为(0.43,0.40)时获得了相关色温约3100 K、显色指数82的暖白光,结果表明该类荧光纳米材料在照明领域具有广阔的应用前景。

摘要： 为了研究抽运光源光谱与增益介质吸收光谱对发光二极管(LED)带抽运激光器输出效率的影响,进一步提高输出效率,将光谱信息引入激光速率方程中,建立了LED带抽运速率方程,采用该方法对LED带抽运Nd∶YAG激光器进行了理论分析和实验验证。结果表明,利用红外LED对Nd∶YAG激光器进行侧面抽运,当抽运能量为9.1mJ时,取得了能量为607μJ的1064nm激光输出,达到实验中最高的倾斜效率15.5%,此时光转换效率为6.67%;速率方程的计算求解和实验的输出能量二者基本吻合。这一结果对研究提高LED带抽运激光器的输出效率是有帮助的。

摘要： 光是影响微藻光自养生长的最重要因素。LED光质在调控微藻生长及目标产物积累方面的巨大优势已经引起了诸多研究者及相关企业的高度重视。基于LED光质调控技术开发的微藻培养工艺有望革新现有生产技术,促进微藻产业的快速发展。为此,本文阐述了微藻可吸收利用的光谱范围及光受体、不同LED光质对微藻生长及目标产物积累的影响、基于LED光质调控策略实现微藻高效生产目标产物等方面的研究进展。同时,分析了LED光质调控技术在今后微藻培养技术方面的4个重点发展方向,包括LED升级换代提高电—光及光—生物质转化效率实现微藻经济高效生产、基于LED光质调控技术实现微藻高效培养助力“碳中和”、新型内置LED光源光生物反应器(PBR)开发助力微藻“工业化”生产以及不同LED光质作为信号分子促进微藻异养或混养时光依赖型产物的高效生产,以期为利用LED光质调控技术高效生产微藻源相关产品提供参考,从而加速微藻产业的发展。

摘要： 磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注。本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs。当Se粉与Zn(St)_(2)的质量比为1∶15时,InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86%。同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂,避免了高温退火对QDs性能的破坏,最终得到稳定工作QLED器件,其最佳外量子效率为2.2%。

摘要： 对荧光碳点(carbon dots, CDs)基电致发光二极管(light-emitting diodes, LEDs)的最新研究进展进行综述。首先,介绍了CDs基电致LEDs的工作原理和CDs的合成方法;其次,综述了纯CDs作为发光层、掺杂CDs作为发光层和CDs作为界面传输层在电致LEDs的研究进展,重点总结了影响CDs基电致LEDs性能的主要因素,包括CDs的结构、CDs作为发光层的成膜性、CDs的发光性质以及器件结构;最后,给出目前CDs基电致LEDs面临的问题,并对其未来发展方向进行展望。

摘要： 可见光通信(Visible light communication,VLC)作为无线通信领域中与无线射频通信互补的一种空间通信技术,近年来吸引了众多研究人员的关注。除了通信链路的电路设计、调制模式之外,调制带宽是照明光源能否实现高质量VLC的关键因素。区别于传统有机LED、聚合物LED及以GaN/InGaN为代表的无机LED等照明光源,量子点LED(QLED)具备响应速度快、色纯度好、发光效率高、可同时用于光致发光和电致发光等优势,是一种理想的用于可见光通信的固态光源器件。然而,目前对QLED用于VLC的调制带宽机理研究较少,尤其是针对多色QLED以及电致发光QLED。本文从量子点的光转换机制出发,系统综述了不同QLED的调制机理,并对光致发光和电致发光QLED调制带宽的限制因素进行了总结和分析,为QLED在VLC中的应用提供了理论依据。

摘要： 随着世界人口的持续增长,人们对粮食的需求急剧增长,这催生了LED植物补光技术的发展。LED植物补光技术就是利用LED光源对植物进行照射来补充太阳光的不足,以提高作物产量和满足食物供应的要求。现在的植物补光系统采用LED作为光源对植物进行补光,相比于其他传统的人工光源,能更好地满足植物生长需求。植物补光系统的应用越来越多,对于控制LED的发光强度来满足植物生长需求显得十分必要。本文首先介绍了LED植物补光系统的原理和结构,然后介绍了调光方式,最后介绍了系统控制的研究进展。

摘要： 量子点(QDs)由于其优异的光学性质,包括可调的带隙,窄发射带宽以及高效率,在光电领域得到了广泛重视.量子点的电致发光性质主要用于量子点发光二极管(QIED),量子点薄膜由量子点和聚合物组成,夹在两个阻挡层之间,阻挡层用来保护聚合物基质中的量子点免受氧气和湿气的侵害,因为水分和氧气会降低量子点的光学性能,目前,已开发出许多技术以阻止水分和氧气的渗入来增加量子点薄膜的稳定性,包括用大配体保护量子点,聚合物基质对量子点的微囊化包装以及用共价键连接量子点和聚合物基质,本文对此进行了综述,此外,量子点层是QLED器件的核心发光层,制备高质量的QD薄膜对于提高QLED器件性能至关重要,因此我们还探讨了量子点薄膜对QLED的器件的影响.

摘要： 钙钛矿量子点具有基于尺寸的发射峰、窄发射光谱和高发光效率等出色的光电性质.本文中合成的基于甲脒-甲胺昆合阳离子的钙钛矿量子点FAxMA(1-x)PbBr3可以发出波长为530nm左右的绿光,并呈现出87％的绝对量子产率,随着甲胺(MA)离子的掺入量增大,因为晶格收缩而发射峰蓝移.在此基础上以FAxMA(1-x)PbBr3作为发光层制备了发光二极管,通过紫外光电子能谱的测试证实了FAxMA(1-x)PbBr3的价带随着MA含量的增加而降低,可以降低器件中的空穴注入势垒,提高注入效率.通过优化甲胺离子掺入量制备出以FA08MA0.2PbBr3作为发光层的发光二极管,最大亮度,最大电流效率和外量子效率相比FAPbBr3发光二极管获得了两倍左右的提升,表明在基于甲脒钙钛矿量子点中掺杂甲胺阳离子是提高器件性能的有效方法.

摘要： 本文简述哪了光固化印刷油墨，墨性评估，分析了LED固化性影响结构与LED固化性，探讨了UV印铁油墨金属油墨。

摘要： 本文简述哪了光固化印刷油墨，墨性评估，分析了LED固化性影响结构与LED固化性，探讨了UV印铁油墨金属油墨。

摘要： 本文简述哪了光固化印刷油墨，墨性评估，分析了LED固化性影响结构与LED固化性，探讨了UV印铁油墨金属油墨。

摘要： 谈到紫外固化光源,大部分采用的是高压汞灯,高压汞灯是石英管内抽真空,加入汞以及荧光粉等成分,通过高压电离使之产生电弧晖光放电产生很强的紫外光,该灯光谱范同在250nm-450nm之间,中心波长为365nm,具有极高的功率密度和相对宽幅的紫外线光谱.

摘要： 谈到紫外固化光源,大部分采用的是高压汞灯,高压汞灯是石英管内抽真空,加入汞以及荧光粉等成分,通过高压电离使之产生电弧晖光放电产生很强的紫外光,该灯光谱范同在250nm-450nm之间,中心波长为365nm,具有极高的功率密度和相对宽幅的紫外线光谱.

摘要： 谈到紫外固化光源,大部分采用的是高压汞灯,高压汞灯是石英管内抽真空,加入汞以及荧光粉等成分,通过高压电离使之产生电弧晖光放电产生很强的紫外光,该灯光谱范同在250nm-450nm之间,中心波长为365nm,具有极高的功率密度和相对宽幅的紫外线光谱.

摘要： 本文探讨了UVLED光源应用拓展和技术难点，紫外线是电磁波谱中波长从10nm到400nm辐射的总称.根据波长的不同,一般把紫外线分为UVA(波长400～315nm)UVB(波长280～100nm)、UVC(9波长280～100nm)三个波段.

摘要： 本文探讨了UVLED光源应用拓展和技术难点，紫外线是电磁波谱中波长从10nm到400nm辐射的总称.根据波长的不同,一般把紫外线分为UVA(波长400～315nm)UVB(波长280～100nm)、UVC(9波长280～100nm)三个波段.

摘要： 提供了一种LED、其制造方法以及包括LED的显示设备。具体地，本公开涉及包括电流限制结构的高效倒装芯片LED及其制造方法、以及包括这种LED的显示设备。特别地，根据本公开的倒装芯片LED包括围绕发光层并限制电流从发光层流向侧壁的电阻区域。

摘要： 一种发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装，发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。

摘要： 本发明公开了发光二极管模块和发光二极管以及制造发光二极管的方法。所述发光二极管模块包括印刷电路板和通过焊膏粘结至该印刷电路板的发光二极管。所述发光二极管包括电连接至第一导电型半导体层的第一电极焊盘和连接至第二导电型半导体层的第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘和第二电极焊盘中的每个电极焊盘包括至少五对钛/镍层或至少五对钛/铬层和最上面的金层。因此，防止了焊膏中的例如锡等的金属元素的扩散，从而提供了可靠的发光二极管模块。

摘要： 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。

摘要： 本发明涉及发光二极管组件，具有发光二极管和控制设备，控制设备设计用于借助脉冲宽度调制使发光二极管减光，其中，所述脉冲宽度调制的特征在于节拍和一个节拍期间的脉冲持续时间，其中，控制设备设计用于，以包括至少两个节拍的包操控发光二极管，控制设备选择性地设计用于，以第一运行方式和第二运行方式操控发光二极管，发光二极管在第一运行方式中被如此操控，使得在所述包的节拍内的脉冲持续时间相同，并且发光二极管在第二运行方式中被如此操控，使得在所述包的节拍内设有不同的脉冲持续时间，以及本发明涉及用于使发光二极管组件的发光二极管减光的方法，控制设备设计用于借助脉冲宽度调制使发光二极管减光。

摘要： 提供了用于有机发光二极管的复合物，包括：由化学式S-1表示的用于有机光电装置的化合物；和由化学式X-1表示的用于有机光电装置的化合物。还提供了包括所述复合物的有机发光层和有机发光二极管。

摘要： 本说明书提供一种由化学式1表示的杂环化合物、一种包括其的有机发光二极管、一种用于有机发光二极管的有机材料层的组成物以及一种制造有机发光二极管的方法。

摘要： 提供了发光二极管溶剂、包含发光二极管溶剂的发光二极管墨以及用于制造显示器的方法。发光二极管墨包含发光二极管溶剂以及分散在所述发光二极管溶剂中并且各自包括多个半导体层和围绕所述半导体层的外表面的绝缘膜的发光二极管，其中所述发光二极管溶剂是具有7至15的pKa的有机溶剂。

摘要： 一种发光二极管（LED）封装组件（100）包括衬底（102）。衬底包括顶表面、底表面（122）、和穿过衬底（102）形成的开口。开口包括邻近顶表面的第一部分（104）和邻近底表面（122）的第二部分（106），该第二部分（106）比第一部分（104）更宽，使得衬底（102）的各部分悬于开口的第二部分（106）之上。焊盘（124）设置在悬于开口（102）的第二部分（106）之上的衬底（102）的各部分的底表面上。该组件还包括开口中的混合器件（210）。混合器件（210）包括具有顶表面、底表面、和顶表面上的互连的硅背板（214）。互连（148）电耦合到焊盘（124）。该混合器件还包括在硅背板（214）的顶表面上的LED阵列（212）。

摘要： 本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。