Anodes; Light emitting diodes; Indium; Gallium nitride; Power generation; Radiative recombination; Lattices;
机译:在低缺陷密度独立式GaN衬底上制造的m平面In_(0.15)Ga_(0.85)N / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的量子受限Stark效应
机译:使用GaN基板提高高电流密度的InGaN基蓝色发光二极管的外部量子效率
机译:具有高密度超小In-rich量子点的InGaN / GaN基绿色发光二极管的输出功率增强
机译:摩尔分数对基于单量子阱的InxGa1-xN / GaN蓝色发光二极管功率谱密度的影响
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:基于单水平ZnO微棒/ GaN异质结的紫外/蓝色发光二极管
机译:基于单水平ZnO微棒/ GaN异质结的紫外/蓝色发光二极管