Virginia Commonwealth University.;
机译:通过局部表面等离子体激元提高GaN基垂直型发光二极管的外部量子效率
机译:带有SiO_2埋入式横向折射率导引装置的GaN基垂直腔面发射激光器的斜率效率和输出功率的提高
机译:使用具有纳米柱阵列的基于GaN的多量子阱发光二极管提高发光效率
机译:AgCu基反射器增强GaN基垂直发光二极管的光提取效率
机译:基于砷化镓的量子点垂直腔面发射激光器和微腔发光二极管。
机译:通过局部表面等离子体激元提高GaN基垂直型发光二极管的外部量子效率
机译:GAN基发光二极管和垂直腔表面激光的量子效率增强