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垂直腔表面发射激光器件 、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统

摘要

本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件,其相对于衬底垂直发射光,并且包括:包括有源层的谐振器结构;和半导体多层反射器,该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构,并且包括限制结构,该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式,所述限制结构具有氧化区域,该氧化区域围绕电流通过区域,氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物,其中,所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm;且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域,并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。

著录项

  • 公开/公告号CN102077428B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社理光;

    申请/专利号CN200980125447.9

  • 申请日2009-04-28

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人王冉

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-16

    授权

    授权

  • 2011-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20090428

    实质审查的生效

  • 2011-05-25

    公开

    公开

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