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公开/公告号CN2596556Y
专利类型
公开/公告日2003-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN02289265.6
发明设计人 陈弘;于洪波;周均铭;贾海强;韩英军;黄绮;
申请日2002-11-22
分类号H01L33/00;H01S5/00;
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人王凤华
地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-21 22:45:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-01-16
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-12-31
授权
机译: 量子阱结构和包含其的蓝光发光二极管
机译: 高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译: 具有GaN量子阱的纳米阵列结构的超亮发光二极管及其制造方法
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝光发光二极管中载流子-声子耦合确定的载流子动力学
机译:30 MeV硅离子束对InGaN / GaN多量子阱蓝光发光二极管辐射效应的多角度分析
机译:半极性(11-22)InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的高稳定蓝光发射
机译:金属有机化学气相沉积法生长的GaN基多量子阱制备蓝色发光二极管
机译:氮化铝镓基多量子阱深紫外发光二极管的降解机理。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:非极性M平面INXGA1-XN / GAN蓝光发光二极管的预期发射效率和平面光极化,在独立GAN基板上制造
机译:用于固态照明的纳米结构高性能紫外和蓝光发光二极管