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牛南辉; 王怀兵; 刘建平; 刘乃鑫; 邢燕辉; 韩军; 邓军; 郭霞; 沈光地;
北京工业大学电控学院光电子技术实验室;
GaN; 伏安特性; 发光二极管(LED); 金属有机物化学气相淀积(MOCVD);
机译:镁在LED结构中的扩散与IngaN / GaN量子阱处于真正的生长温度860-980摄氏度的P-GaN
机译:不同GaN盖层厚度的InGaN / GaN多量子阱绿色LED的性能和效率下降行为研究
机译:GaN块体衬底与蓝宝石之间热相互作用对MOCVD蓝光InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:通过MOCVD生长InGaN量子阱和InGaN / GaN量子阱LED
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:mOCVD生长InGaN弹性体和InGaN / GaN量子阱中异常温度相关发射偏移的载流子动力学
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
机译:具有多个INGAN / GAN量子阱的LED异质结构
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
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