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朱华; 李翠云; 莫春兰; 江风益; 张萌;
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;
景德镇陶瓷学院机电学院;
MQW; Si衬底; 位错; TEM; SEM;
机译:通过金属有机气相外延研究在Si(111)衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱中的缺陷结构
机译:位错和缺陷对在Si和蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的弛豫行为的影响
机译:A轴轴芯纳米线的生长,半极性(1101)GaN / IngaN多量子阱在Si衬底上的多量子阱共轴纳米线及其载体动力学
机译:通过金属有机气相外延研究在Si(1 1 1)衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱中的缺陷结构
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:Si掺杂对MOCVD生长的InGaN / GaN多量子阱的载流子定域的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
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