机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:硅衬底上绿色发光二极管InGaN / GaN型阱的相同温度GaN帽的影响
机译:在InGaN / GaN多量子阱的GaN势垒层中进行Siδ掺杂以形成有效的紫外发光二极管
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:400nm Ingan / GaN和IngaN / Aigan Multiquantum孔发光二极管
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:具有优化的GaN势垒的InGaN / GaN多层量子点黄绿色发光二极管
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质