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陈献文; 吴乾; 李述体; 郑树文; 何苗; 范广涵; 章勇;
华南师范大学光电子材料与技术研究所;
广州鸿利光电股份有限公司;
InGaN/GaN多量子阱; 双波长; 发光二极管; 金属有机化学气相沉积;
机译:双波长InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光特性和载流子动力学研究
机译:掺Mg量子阱的InGaN / GaN双波长发光二极管中的空穴分布得到改善
机译:双波长InGaN / GaN多量子阱发光二极管的光学和结构特性
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:在InGaN / GaN发光二极管上杂交的双色发射量子点量子阱CdSe-ZnS杂纳米晶体可产生高质量的白光
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
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