Gallium nitrides; High electron mobility transistors; Nanowires; Chemical vapor deposition; Cross sections; Electron gas; Elongation; Field effect transistors; Reprints; Room temperature; Single crystals; Transmission electron microscopy;
机译:无掺杂GaN / AlN / AlGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管
机译:位错对AlGaN / GaN和AlGaN / AlN / GaN异质结构中电子迁移率的影响
机译:蓝宝石上的AlGaN / AlN / GaN / AlN双异质结构高电子迁移率晶体管(DH-HEMT)的直流和射频特性
机译:MOVPE中ALN间隔层优化AlN脱落AlGaN / Aln / Ingan / GaN高电子迁移率异质结构
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:无掺杂的GaN / AlN / AlGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管