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王晓亮; 胡国新; 马志勇; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军; 刘新宇; 陈晓娟; 李建平; 李晋闽; 钱鹤; 王占国;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院微电子研究所;
AlGaN/GaN; 高电子迁移率管; MOCVD; 功率器件; 碳化硅衬底;
机译:通过MOCVD生长的具有高迁移率GaN薄层的AlGaN / AlN / GaN / SiC HEMT结构
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:通过MOCVD生长的AlGaN / AlN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMT具有改善的迁移率
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:在4H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管结构的时间分辨光致发光特性
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
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