机译:位错对AlGaN / GaN和AlGaN / AlN / GaN异质结构中电子迁移率的影响
Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA;
Hall effect; III-V semiconductors; aluminium compounds; dislocation density; dislocation scattering; electron mobility; gallium compounds; molecular beam epitaxial growth; plasma materials processing; semiconductor epitaxial layers; semiconductor heterojunctions; wide band gap semiconductors; 6172Hh; 7210Fk; 7220Ee; 7220Fr; 7350Jt; 8115Hi;
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:栅极长度缩放对使用AlGaN / GaN和AlInN / AlN / GaN异质结构的高电子迁移率晶体管器件的影响
机译:蓝宝石上的AlGaN / AlN / GaN / AlN双异质结构高电子迁移率晶体管(DH-HEMT)的直流和射频特性
机译:在AlGaN /(ALN)/ GaN和Inaln /(ALN)/ GaN异质结构的载体迁移率,受不同的散射机制的限制:实验和计算
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。