退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
文摘
英文文摘
声明
第一章 引 言
第二章 异质结中准二维电子气分布
§2.1异质结的自发极化和压电极化
§2.2 Poisson—Schr(o)dinger方程的自洽求解
§2.3计算结果和讨论
第三章 异质结中电子迁移率和压力效应
§3.1异质结中声子限制的电子迁移率
§3.2应变和压力对各参数的影响
§3.3计算结果和讨论
§3.4结 论
参考文献
致 谢
攻读硕士学位期间发表及完成的论文
武维;
内蒙古大学;
电子迁移率; 光学声子散射; 纤锌矿异质结; 压力效应;
机译:具有有限厚度势垒的应变纤锌矿GaN / AlxGa1-xN异质结中杂质态的结合能
机译:与应变AlGaN / GaN异质结构中AlGaN势垒层的应变变化引起的散射有关的电子迁移率
机译:压力对应变纤锌矿GaN / AlxGa1-xN异质结中杂质态斯塔克效应的影响
机译:新型AlGaN / GaN / AlGaN双异质结高电子迁移率晶体管可提高性能
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的介电和势垒厚度波动散射
机译:alGaN / GaN异质结场效应晶体管中的偏置应变及其意义
机译:包含Algan / GAN异质结和P掺杂金刚石门的增强模式场效应晶体管
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。