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孔月婵; 郑有炓; 周春红; 邓永桢; 顾书林; 沈波; 张荣; 韩平; 江若琏; 施毅;
南京大学物理系,南京,210093;
AlxGa1-x N/GaN异质结构,二维电子气,自发极化,压电极化;
机译:孔捕获在无意掺杂的GaN层中的作用在抑制血液中的AlGaN / GaN异质结构中的二维电子气体降解
机译:薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构电场效应晶体管的小信号和30GHz功率特性-减薄AlGaN势垒层的影响
机译:极化场对(0001)和(11(2)-bar0)平面AlGaN / GaN异质结构中二维电子气形成的影响
机译:使用扫描非线性介电显微镜观察AlGaN / GaN异质结构中的极化和二维电子气体
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:弱无定域和零场电子自旋分裂 alGaN / alN / GaN异质结构具有极化诱导的二维结构 电子气
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
机译:具有Algan / GAN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体基质
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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