首页> 外文OA文献 >Comparison of C-Doped AlN/GaN HEMTs and AlN/GaN/AlGaN Double Heterostructure for mmW Applications

【2h】

Comparison of C-Doped AlN/GaN HEMTs and AlN/GaN/AlGaN Double Heterostructure for mmW Applications

机译：C掺杂的Aln / GaN Hemts和Aln / GaN / AlGaN双异质结构对MMW应用的比较

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
R. Kabouche; J. Derluyn; R. Pusche; S. Degroote; M. Germain; R. Pecheux; E. Okada; M. Zegaoui; F. Medjdoub;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2018
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Direct Current and Radio Frequency Characterizations of AlGaN/AlN/GaN/AlN Double-Heterostructure High-Electron Mobility Transistor (DH-HEMT) on Sapphire [J] . Uiho Choi, Hyun-Seop Kim, Kyeongjae Lee, Physica status solidi . 2020,第7期

机译：蓝宝石上的AlGaN / AlN / GaN / AlN双异质结构高电子迁移率晶体管（DH-HEMT）的直流和射频特性
2. Comparison of the transport properties of high quality AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures [J] . Remziye Tuelek, Aykut Ilgaz, Sibel Goekden, Journal of Applied Physics . 2009,第1期

机译：高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较
3. Unintentional gallium incorporation in AlN and its impact on the electrical properties of GaN/AlN and GaN/AlN/AlGaN heterostructures [J] . Li Haoran, Keller Stacia, Chan Silvia H., Semiconductor science and technology . 2015,第5期

机译：AlN中意外掺入镓及其对GaN / AlN和GaN / AlN / AlGaN异质结构的电性能的影响
4. Comparison of C-Doped AlN/GaN HEMTs and AlN/GaN/AlGaN Double Heterostructure for mmW Applications [C] . R. Kabouche, J. Derluyn, R. Pusche, European Microwave Integrated Circuits Conference . 2018

机译：毫米波应用中掺C的AlN / GaN HEMT和AlN / GaN / AlGaN双异质结构的比较
5. Investigation of normally-off mode AlGaN/GaN MOS HEMT device utilizing gate recession and p-GaN gate structure with ald grown high k gate insulators for high power application. [D] . Ma, Jin Seock. 2016

机译：研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件，该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
6. Investigation of AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Sputtered AlN Templates with Different Nucleation Layers [O] . Chuan-Yang Liu, Ya-Chao Zhang, Sheng-Rui Xu, 2019

机译：不同成核层的溅射AlN模板上生长的AlGaN / GaN异质结构的研究
7. Comparison of the transport properties of high quality AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures [O] . Tülek, R., Ilgaz, A., Gökden, S., 2009

机译：高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较

Comparison of C-Doped AlN/GaN HEMTs and AlN/GaN/AlGaN Double Heterostructure for mmW Applications

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅