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何国敏; 王仁智; 吴正云; 郑永梅; 蔡淑惠;
厦门大学物理系;
氮化镓; 氮化铝; 形变势; 应变层; 异质结带阶; 计算;
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:低温氨基分子束外延生长的金属极性AlGaN / AlN / GaN和AlN / GaN异质结构中的纯AlN层
机译:铟含量低(0.064≤x≤0.140)势垒的In_xAl_(1-x)N / AlN / GaN / AlN异质结构中二维电子气的双子带占据
机译:具有薄AlN顶部势垒的AlN / GaN / AlN双异质结构
机译:用于开发AlN / SiC {lcub} p / pn {rcub}异质结紫外检测器的MOCVD优化和AlN表征。
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。
机译:用于GAN基光电器件的GAN- PVD ALN氧气控制的PVD ALN缓冲装置
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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