机译:杂交SiC / Si衬底上GaN / AlN异质结构外延合成中氮化镓层极性的方法
GaN; AlN; silicon; SiC on Si; atom substitution method; plasma-assisted molecular beam epitaxy; chloride-hydride vapor phase epitaxy;
机译:杂交SiC / Si衬底上GaN / AlN异质结构外延合成中氮化镓层极性的方法
机译:在6H-SiC(0001)(Si)表面生长的GaN和AlN中的外延层和((1)over-bar-2(1)over-bar-0)棱柱形缺陷的极性
机译:氨MBE在AlN / SiC衬底上生长的高功率场效应晶体管的多层AlN / AlGaN / GaN / AlGaN异质结构
机译:使用厚AlN缓冲层在3C-SiC / Si(111)衬底上进行GaN的分子束外延生长
机译:镓酸锂衬底上氮化镓和氮化铝镓/氮化镓异质场效应晶体管(HFET)的外延生长。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:使用光霍尔效应测量在6H-SiC基材上生长的Al0.2Ga0.8N / AlN / AlN异质结构的自我一致散射分析
机译:成长氮化铝(alN)衬底上氮化铝镓((al)GaN)薄膜缺陷的控制。