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半极性平面III-氮化物半导体基发光二极管和激光二极管的氮化铝镓阻挡层和分离限制异质结构(SCH)层

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半极性平面III-氮化物半导体基激光二极管或发光二极管，其包含用于发射光的半极性含铟多量子阱，具有含铝量子阱阻挡层，其中所述含铟多个量子阱和含铝阻挡层在半极性平面上以半极性取向生成。

著录项

公开/公告号CN102823088A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-12

原文格式PDF
申请/专利权人加利福尼亚大学董事会;
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申请/专利号CN201180017281.6
发明设计人 Y-D·林;H·太田;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴拉斯;J·S·斯派克;
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申请日2011-04-05
分类号H01S5/34;
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 07:41:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/34 申请公布日:20121212 申请日:20110405

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-05-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/34 申请日:20110405

实质审查的生效
2012-12-12

公开

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