机译:非极性和半极性III-氮化物半导体取向之间的界面:结构和缺陷
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR 54124 Thessaloniki, Greece;
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机译:源于半极性和非极性III型氮化物异质结构中棱柱形滑移的错配位错形成的临界厚度
机译:沿非极性和半极性取向生长的III族氮化物异质外延膜的缺陷减少方法
机译:伪形基于ZnO的异质结构:从极性到所有半极性到非极性方向
机译:电子自旋共振探测的高迁移率半导体/界面上点缺陷的性质:热GaAs / GaAs-氧化物结构
机译:硅金属-氧化物-半导体微结构中的大块和界面缺陷的研究。
机译:基于几乎没有缺陷的半导体纳米盘纳米柱结构的室温极化自旋光子界面
机译:源于半极性和非极性III氮化物异质结构中棱柱形滑移的错配位错形成的临界厚度