公开/公告号CN102598317A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 首尔OPTO仪器股份有限公司;韩国产业技术大学校产学协力团;
申请/专利号CN201080046603.5
申请日2010-08-27
分类号H01L33/16;
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人薛义丹
地址 韩国京畿道安山市
入库时间 2023-12-18 06:12:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-11
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/16 申请公布日:20120718 申请日:20100827
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-06-04
著录事项变更 IPC(主分类):H01L33/16 变更前: 变更后: 申请日:20100827
著录事项变更
2012-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/16 申请日:20100827
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
机译: 多孔氮化物半导体上的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法
机译: 多孔氮化物半导体上的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法
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