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王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院西安光学精密机械研究所;
应变多量子阱; GSMBE生长; 结构; X射线双晶衍射;
机译:使用所有固体源生长的应变InGaAsP / InP多量子阱结构的高分辨率X射线衍射研究
机译:在[111] B InP上生长的In_xGa_(1-x)As / InP量子阱结构
机译:在经掩膜的InP衬底上选择性生长的基于应变InGaAlAs的多量子阱激光结构中的微束高分辨率X射线衍射
机译:InP衬底上In / sub 1-x / Ga / sub x / As / sub 1-y / Sb / sub y // In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As应变量子阱结构的分子束外延生长和表征
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:In_xGa_(1-x)as半导体合金的局域结构研究 能量同步加速器X射线衍射
机译:In(x)Ga(1-x)as / Gaas应变量子阱结构的分子束 - 外延生长的临界检验。
机译:量子阱结构和光学约束模量子阱结构,将以有机金属气相模为模,在生产方式良好的半导体空InP衬底上形成
机译:具有可变偏振的应变量子阱结构和具有该应变量子阱结构的光学器件
机译:具有可变偏振依赖性的应变量子阱结构和诱导该应变量子阱结构的光学器件
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