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张万荣;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了空穴迁移率和热稳定性
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:Ge_xSi_(1-x)/ Si异质结构中费米能级效应和结载流子浓度对硼分布的影响
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:具有GeSiSn纳米岛和应变层的半导体膜的形貌结构和光学性质
机译:si $ _ {(1-x)} $ Ge $ _x $中的霍尔效应和电离杂质散射
机译:Ge(x)si(1-x)/ si应变层超晶格中的线性电光效应
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:用于形成SiGe层的半导体基体场效应晶体管过程,用于利用应变过程形成应变Si层的过程以及用于制造场效应晶体管的过程
机译:半导体基体,场效应晶体管,形成SiGe层的方法,使用相同形成应变Si层的方法以及制造场效应晶体管的方法
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