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赵传阵; 唐吉玉; 文于华; 吴靓臻; 孔蕴婷;
华南师范大学物理与电信工程学院;
硅锗合金; 少数载流子; 低温特性; 掺杂浓度;
机译:应变n型Si_(1-x)Ge_x / Si / Si_(1-x)Ge_x双势垒结构中的电子隧穿
机译:在应变Si_(1-x)Ge_x层上形成具有调制B8型Ni_5(SiGe)_3相的超薄高度均匀的Ni(Al)锗硅化物层
机译:任意取向Si_(1-y),Ge_y衬底上应变Si_(1-x)Ge_x层中电子迁移率的蒙特卡洛模拟
机译:辐射诱导高度掺杂的n型Si_(1-x)Ge_x应变层中的缺陷水平
机译:通过有限反应处理在硅(1-x)锗(x)应变层中形成错配位错
机译:室温和低温下双相FeCoCrNiAl0.5中孪晶引起的应变硬化
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:通过将阻挡杂质注入到应变层中来减少应变层场效应晶体管中由位错引起的泄漏的方法
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:低温和中温热源和载体的开发方式以及开发低温和中温热源和载体的系统
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