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张万荣; 李志国; 孙英华; 程尧海; 陈建新; 沈光地;
北京工业大学电子工程系;
半导体材料; SiGe合金; 低温特性; 掺杂;
机译:通过超净低压CVD外延生长在Si(100)上的Si_(1-x)Ge_x膜中氮的重原子层掺杂
机译:Si_(1-x)Ge_x / Si异质界面处的重碳原子层掺杂
机译:具有原子层沉积电介质的未掺杂Si / Si_(1-x)Ge_x异质结构中电容诱导的高迁移率二维电子气
机译:使用超净LPCVD低温原位重掺杂b掺杂的Si_(1-x)Ge_x薄膜的低温外延生长
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:加压$ CeCu_2(si_ {1-x} Ge_x)_2 $中的非费米液态 系统:两个关键点
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:使用非接触掺杂剂浓度和少数载流子寿命测量的太阳能电池发射器特性规范
机译:场效应半导体组件,具有重掺杂的源场并发射少数电荷载流子,其中从源场到体区的跃迁具有突变的PN过渡的掺杂材料分布
机译:半导体材料光致发光测量中的掺杂浓度和少数载流子寿命的分离
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