重掺杂p-InP(Zn)中载流子补偿机制的正电子湮没研究

摘要

该文测量了不同掺Zn浓度的p型InP材料中正电子寿命随温度的变化。结果发现随着温度的上升，带负电荷的受主Zn<,In>会与带正电荷的P空位发生相互作用形成中性的缺陷复合体。同时还发现，缺陷复合体的形成与载流子浓度密切相关，在重掺杂的材料中低温下即可形成。文中讨论了在重掺杂的p-InP中缺陷复合体的形成与载流子饱和现象的关系。