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International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology
International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology
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1.
Raman and HREM Observation of Oriented Silicon Nanocrystals Inside Amorphous Silicon Films on Glass Substrates
机译:
玻璃基板上无定形硅膜内取向硅纳米晶体的拉曼和HREM观察
作者:
M. D. Efremov
;
V. V. Bolotov
;
V. A. Volodin
;
L. I. Fedina
;
A. A. Gutakovskij
;
S. A. Kochubei
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
nanocrystals;
raman;
electron microscopy;
excimer laser;
2.
Lattice Defects in Si_(1-x)Ge_x Devices by Proton Irradiation and their Effect on Device Performance
机译:
通过质子辐照晶格(1-X)GE_X器件缺陷及其对器件性能的影响
作者:
H. Ohyama
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
J. vanhellemont
;
Y. Takami
;
H. Sunaga
;
J. Poortmans
;
m. Caymax
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
si_(1-x)ge_x strained epitaxial layer;
si_(1-x)ge_x device;
radiation damage;
deep levels;
3.
Point Defect and Microdefect Dynamics in Czochralsk9-Grown Silicon: Simulations and Analysis of Self-Consistent Models
机译:
Czochralsk9生长硅中的点缺陷和微碎片动态:自我一致模型的模拟和分析
作者:
T. Sinno
;
R. A. Brown
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
oxidation-induced stacking-fault ring;
defect dynamics;
point defect thermophysical properties;
continuum simulation;
4.
Mechanism of Slip Dislocation Generation by Oxide Precipitates in Czochralski Silicon Wafers
机译:
Czochralski硅晶片中氧化物沉淀物的滑移脱位产生机制
作者:
K. Sueoka
;
M. Akatsuka
;
H. Katahama
;
N. Adachi
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
slip dislocation;
mechanical strength;
oxide precipitate;
czochralski silicon wafer;
thermal stress;
precipitate size;
5.
Improved Extraction of Si Substrate Parameters from Combined I-V and C-V Measurements on P-N Junction Diodes
机译:
从P-N结二极管中改善I-V和C-V测量的Si衬底参数的提取
作者:
A. Czerwinski
;
E. Simoen
;
J. Vanhellemont
;
D. Tomaszwski
;
J. Gibki
;
A. Bakowski
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
diode;
P-N;
junction;
6.
The Change of Au-ZS and Au-CdS Diode Structure Parameters Caused by Low-Dose X-Ray Irradiation
机译:
低剂量X射线照射引起的AU-ZS和AU-CDS二极管结构参数的变化
作者:
B. Pavlyk
;
Ya. Horyn
;
B. Tsybulyak
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
diode structure;
X-ray irradiation;
surface states;
deep level;
7.
Raman Spectroscopy Investigation of Silicon Nanocrystals Formation in Silicon Nitride Films
机译:
氮化硅膜中硅纳米晶体形成的拉曼光谱研究
作者:
V. A. Volodin
;
M. D. Efremov
;
V. A. Gritsenko
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
raman;
silicon;
nanocrystals;
silicon nitride;
excimer laser irradiation;
8.
The Effect of Dislocation Dissociation on the g-Tensor of Holes in Dislocation Related 1D Energy band in Si
机译:
脱位解离对Si脱位相关1D能带中孔的G-张浪潮的影响
作者:
V. V. Kveder
;
A. I. Shalynin
;
E. A. Steinman
;
A. N. Izotov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
dislocations;
energy bands;
spin resonance;
9.
Observation of Vacancy Enhancement during Rapid Thermal Annealing in Nitrogen
机译:
氮气快速热退火过程中空位增强的观察
作者:
M. Jacob
;
P. Pichler
;
H. Ryssel
;
R. Falster
;
M. Cornara
;
D. Gambaro
;
M. Olmo
;
M. Pagani
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
vacancy generation;
point defects;
platinum diffusion;
10.
A Quantitative Method of Metal Impurities Depth Profiling for Gettering Evaluation in Silicon Wafter
机译:
硅硼杂质评价金属杂质深度分析的定量方法
作者:
M. B. Shabani
;
T. Yoshimi
;
S. Okuuchi
;
H. Abe
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
AAS;
drop etching;
drop sandwich etching;
bulk decomposition;
depth profiling;
gettering evaluation;
internal gettering;
external gettering;
p/p+ epi;
SIMOX;
11.
The Magnesium Related Luminescence in Silicon and its Quenching due to the Presence of Dislocations
机译:
硅镁在硅中的镁和淬火引起的脱位存在
作者:
E. A. Steinman
;
H. S. Leipner
;
H. G. Grimmeiss
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
luminescence;
magnesium;
dislocations;
12.
An Experimental Study of Ion Beam and ECR Hydrogenation of Self-Ion Implantation Damage in Silicon by Admittance Spectroscopy and X-Ray Triple Crystal Diffractometry
机译:
通过纳米型光谱和X射线三晶衍射测定硅离子束和ECR氢化离子束和ECR氢化的实验研究
作者:
S. Kar
;
P. Zaumseil
;
S. Ashok
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
ion beam hydrogenation;
ECR hydrogenation;
ion implantation;
triple crystal diffractometry;
admittance spectroscopy;
ion damage;
MOS structure;
electron traps;
strain profile;
defect passivation;
13.
An IR Study of the Annealing behaviour of A-Center in Silicon
机译:
硅中锋退火行为的IR研究
作者:
C. A. Londos
;
N. V. Sarlis
;
L. G. Fytros
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon neutron irradiation;
infrared;
a-center;
annealing studies;
14.
Study of Surface Conduction Related Effects in GaAs MESFET's
机译:
Gaas Mesfet的表面传导相关效果的研究
作者:
V. R. Balakrishnan
;
V. Kumar
;
S. Ghosh
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
GaAs MESFET's;
surface states;
deep level defects;
transconductance dispersion;
deep level transietn spectroscopy (DLTS);
15.
Nitridation Effects in n-CdTe
机译:
n-cdte中的氮化效应
作者:
S. Gurumurthy
;
H. L. bhat
;
V. Kumar
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
cadmium telluride;
doping;
nitrogen plasma;
I-V;
C-V;
16.
Formation of Microscopic Distribution of Grown-In Defects in Czochralski Silicon Crystal
机译:
Czochralski硅晶体中成年缺陷的显微分布形成
作者:
R. Habu
;
K. Kawakami
;
M. Hasebe
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
phenomenological equation;
ordinary diffusion;
drift flow;
thermal diffusion;
temperature gradient;
point defect;
recombiantin reaction;
17.
Modification of the Recombination Activity of dislocations in Silicon by Hydrogenation, Phosphorous Diffusion and Heat Treatments
机译:
通过氢化,磷扩散和热处理改性硅中脱位重组活性
作者:
W. Seifert
;
K. Knoblock
;
M. Kittler
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
18.
Computer Simulation of Impurity Diffusion in the Vicinity of Grain boundaries (Modified Fisher Model)
机译:
晶界附近的杂质扩散计算机模拟(改进的Fisher模型)
作者:
A. Fedotov
;
M. Chuiko
;
A. Rabyshko
;
S. Shumski
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
fisher model;
grain boundary diffusion;
impurity diffusion;
polycrystals;
19.
Analytical Modelign of the Gold Diffusion Induced Modification of the Forward Current through P-N Silicon Junctions
机译:
通过P-N硅结的金漫射诱导改变正向电流的分析模型
作者:
F. Gaiseanu
;
M. Sachelarie
;
D. Sachelarie
;
J. Esteve
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
gold diffusion;
forward current;
P-N junction;
20.
Depth Dependence of Dislocation Loop Dissolution Kinetics in Ion Implanted Silicon
机译:
离散环溶出动力学在离子植入硅中的深度依赖性
作者:
M. Seibt
;
Y.-L. Huang
;
B. Plikat
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
ion-implantation;
end-of range defects;
ostwald ripening;
21.
Oxygen Precipitation in silicon Thin Layers int eh PResence of Carbon
机译:
碳中硅薄层的氧气沉淀
作者:
T. M. Tkacheva
;
G. N. Petrov
;
K. L. Enisherlova
;
T. F. Rusak
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
O or C implantation;
oxidizing;
secco-;
VK-etching;
TEM;
precipitates;
22.
Yield Analysis of CMOS ICs
机译:
CMOS IC的产量分析
作者:
D. Schmitt-Landsiedel
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
yield;
failure analysis;
defect density;
critical area;
parameter variations;
low voltage CMOS;
matching;
manufacturability;
23.
Positron Annihilation Rate and Broad Component of 1D-ACAR in Cz-Si and Fz-Si
机译:
CZ-Si和FZ-Si中1d-Acar的正电子湮没率和宽部件
作者:
N. Yu. Arutyunov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
positron;
angular correlation;
annihilation radiation;
core electrons;
oxygen;
carbon;
thermal defects;
24.
Oxygen Precipitate Nucleation Process in Silicon with Different Oxygen Concentration and Structural Perfection
机译:
具有不同氧浓度和结构完美的硅在硅中的氧气沉淀成核法
作者:
I. V. Antonova
;
A. Misiuk
;
V. P. Popov
;
A. E. Plotnikov
;
B. Surma
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
oxygen precipitate;
silicon;
enhanced pressure;
nucleation;
25.
New Possibility of Impurities Express Determination by Laser Element Spark-Analyzer (LESA)
机译:
激光元素火花分析仪(LESA)的杂质快速测定的新可能性
作者:
T. M. Tkacheva
;
G. N. Petrov
;
D. V. Vlasov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
CZ-si heavily doped with ge;
X-ray topography;
laser element spark-analyzer (LESA);
ge striated distribution;
internal elastic stresses;
26.
Heterogeneous Precipitation of Silicon Oxide in Silicon at Laser Induced Centres
机译:
激光诱导中心硅中氧化硅的异质沉淀
作者:
Yu. Blums
;
A. Medvid
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
27.
Low-Temperature Doping of P-Type Czochralski Silicon due to Hydrogen Plasma Enhanced Thermal Donor Formation
机译:
P型Czochralski硅的低温掺杂由于氢等离子体增强的热量供体形成
作者:
A. G. Ulyashin
;
Yu. A. Bumay
;
R. Job
;
G. Grabosch
;
D. Borchert
;
W. R. Fahrner
;
A. Yu. Diduk
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
thermal donors;
hydrogen;
oxygen in silicon;
hydrogen diffusion;
hydrogen plasma;
high-energy implantation;
28.
Differential Interference Contrast Microscopy of Defects in As-Grown and Annealed Si Wafers
机译:
生长和退火的Si晶片中缺陷的差异干扰对比度显微镜
作者:
M.-A. Trauwaert
;
J. Vanhellemont
;
U. Lambert
;
D. Graf
;
K. Kenis
;
P. W. Mertens
;
M. Heyns
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
interference;
contrast microscopy;
grown-in defects;
anneal;
silicon;
29.
Influence of Electric Field-Enhanced Emission on Deep Level Transient Spectra of bandlike Extended Defects: NiSi_2-Precipitates in Silicon
机译:
电场增强排放对带状延长缺陷的深层瞬态光谱的影响:硅中NISI_2-沉淀物
作者:
H. Hedemann
;
W. Schroter
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
DLTS;
extended defects;
bandlike states;
preciptates;
nisi_2;
poole-frenkel effect;
30.
Defect Engineering Radiation Tolerant Silicon Detectors
机译:
缺陷工程辐射耐受硅式探测器
作者:
B. C. MacEvoy
;
S. J. Watts
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
defect engineering;
radiation;
particle detectors;
31.
Vacancy-Assisted Oxygen Precipitation Phenomena in Si
机译:
Si空置辅助氧沉淀现象
作者:
R. Falster
;
M. pagani
;
D. gambaro
;
M. Cornara
;
M. Olmo
;
G. Ferrero
;
P. Pichler
;
M. Jacob
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
vacancies;
oxygen;
nucleation;
rapid thermal annealing;
32.
Strain and Gettering in Epitaxial Silicon Wafers
机译:
在外延硅晶片中的应变和吸收
作者:
F. G. Kirscht
;
M. B. Shabani
;
T. Yoshimi
;
S.-B. Kim
;
B. Snegirev
;
C. Wang
;
L. Williamson
;
K. Takashima
;
P. Taylor
;
D. Lange
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
33.
Erbium in Silicon: Problems and Challenges
机译:
硅铒:问题和挑战
作者:
S. Binetti
;
M. Donghi
;
S. Pizzini
;
A. Castaldini
;
A. Cavallini
;
B. Fraboni
;
N. A. Sobolev
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
si:er;
light emitting structures;
LPE;
photoluminescence;
DLTS;
34.
Metal Gettering by Defective Regions in Carbon_Implanted Silicon
机译:
Carbon_implanted硅中的缺陷区域金属吸气
作者:
R. Kogler
;
J. R. Kaschny
;
R. A. Yankov
;
P. Werner
;
A. B. Danilin
;
W. Skorupa
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
ion implantation;
silicon;
defects;
metal;
gettering;
35.
Interaction of Impurities and Dislocations in Silicon before and after External Gettering
机译:
外部吸气前后硅杂质和位错的相互作用
作者:
I. Perichaud
;
S. Martinuzzi
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
dislocations;
impurities;
gettering;
recombination strength;
36.
Gettering by Voids in Silicon: A Comparison with other Techniques
机译:
在硅中的空隙吸收:与其他技术进行比较
作者:
V. Raineri
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
gettering;
metal impurities;
si;
voids;
37.
Thermal Donors in Silicon Doped with Erbium
机译:
硅的热量供体掺杂有erbium
作者:
V. V. Emtsev
;
N. A. Sobolev
;
B. A. Andreev
;
D. S. Poloskin
;
E. I. Shek
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
erbium;
thermal donors;
38.
Implementation of Low Thermal Budget Techniques to Si and SiGe MOSFET Device Processing
机译:
Si和SiGe MOSFET设备处理的低热预算技术的实现
作者:
M. Gluck
;
J. Hersener
;
H. G. Umbach
;
J. rappich
;
J. Stein
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
low thermal budget processing;
si/sige heterodevices;
hetero-MOSFETs;
silicides;
39.
Study of Oxygen realted Recombination Defects in Si by Temperature-Dependent Lifetime and EBIC Measurements
机译:
温度依赖寿命和EBIC测量研究Si的氧气生物重组缺陷研究
作者:
E. Gaubas
;
J. Vanhellemont
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
W. Seifert
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
carrier lifetime;
oxygen related defects;
EBIC;
DLTS;
microwave;
absorption;
40.
Diffusion and Precipitation of Oxygen in Silicon Doped with Germanium
机译:
用锗掺杂氧化氧的扩散和沉淀
作者:
L. I. Khirunenko
;
Yu. V. Pomozov
;
V. I. Shakhovtsov
;
V. V. Shumov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
germanium;
oxygen;
thermal donor;
relative oxygen loss;
41.
Comparison of External Gettering Efficiency of Phosphorus Diffusion, Aluminium-Silicon Alloying and Helium Implantation in Silicon Wafers
机译:
硅晶片中磷扩散,铝 - 硅合金化和氦气植入外部吸收效率的比较
作者:
N. Gay
;
S. Martinuzzi
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
nickel;
gettering;
phosphorus diffusion;
al-si alloy;
nanocavities;
42.
Influence of Size and Density of Oxygen Precipitates of Internal Gettering Efficiency of Iron in Czochralski-Grown Silicon
机译:
氧化钴铁内膜内部吸收效率的尺寸和密度的影响
作者:
H. Takahashi
;
H. Yamada-Kaneta
;
M. Suezawa
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
oxygen proecipitates;
internal gettering;
iron;
CZ-Si;
43.
Microscopic Studies of Radiation Damage-Induced Defects Responsible for the Deterioration of High-Resistivity Silicon Detectors
机译:
辐射损伤诱导缺陷的显微镜研究负责高电阻率硅探测器的劣化
作者:
H. Feick
;
M. Moll
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
FZ silicon;
radiation damage;
defects;
annealing;
bistable;
TSC;
DLTS;
44.
Hydrogen Stimulated Destruction of Fe-B pairs in p-Si
机译:
氢气刺激P-Si中Fe-B对的破坏
作者:
E. B. Yakimov
;
A. L. parakhonsky
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
iron;
hydrogen;
silicon;
iron-boron pairs;
defect passivation;
deep levels;
45.
Peculiarities of Raman Spectra and Real Structure of Ge_(1-x)Si_x Solid Solution
机译:
拉曼光谱的特性和Ge_(1-x)Si_x固溶解决的实际结构
作者:
B. Dietrich
;
L. K. Orlov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
raman spectroscopy;
silicon-germanium solid solution;
local vibrations;
46.
Analyzing Oxygen Precipitation Using the surface Photovoltage Technique (SPV)
机译:
用表面光伏技术(SPV)分析氧沉淀
作者:
P. Moens
;
W. Dobbelaere
;
T. Colpaert
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
SPV;
oxygen defects;
precipitation;
nucleation;
47.
Hydrogen Annealed Silicon Cwafer
机译:
氢退火硅晶片
作者:
S. Nadahara
;
H. Kubota
;
S. Samata
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
hydrogen annealing;
high temperature annealing;
si;
oxygen out-diffusion;
COP;
BMD;
oxide breakdown;
48.
Influence of the Surface Metal Spraying on the Dislocation Detachment Process in Silicon Crystals
机译:
表面金属喷涂对硅晶体位错分离过程的影响
作者:
V. A. Makara
;
L. P. Steblenko
;
A. M. Kolomiyets
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
dislocation;
point defect;
metal spraying;
silicon;
impurity atmosphere;
activation energy;
spray-coated specimens;
49.
Silicon Water Technology: The Challenges towards the Gigabit Era
机译:
硅水技术:千兆以千兆时代的挑战
作者:
A. P. Mozer
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
50.
Use of Gettering and Defect Induced Processes in Ultra-Thin Buried Oxide Synthesis
机译:
在超薄掩埋氧化物合成中使用吸气和缺陷诱导过程
作者:
V. G. Litovchenko
;
A. A. Efremov
;
B. N. Romanuk
;
V. P. Melnik
;
C. Claeys
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
51.
State of Oxygen and Growth Conditions
机译:
氧气和生长条件
作者:
T. M. Tkacheva
;
G. N. Petrov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
MCZ-si;
magnetic field;
growth conditions;
heat treatment;
optically active oxygen concentration;
total oxygen concentration;
carbon;
vacancies;
52.
Initial Stage of Oxygen Precipitation in silicon
机译:
硅氧沉淀的初始阶段
作者:
A. Kornylo
;
A. Maksymov
;
M. Pashikovski
;
I. Savytskii
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
crystalline silicon;
oxygen precipitation;
nucleation period;
infrared absorption;
angle of soaking;
microhardness;
computer simulation;
monte carlo method;
53.
Defect Formation during Erbium Implantation and Subsequent Annealing of Si:Er
机译:
在铒植入过程中形成缺陷,随后的Si:ER退火
作者:
N. A. Sobolev
;
A. M. Emelyanov
;
Yu.A. Kudryavtsev
;
R. N. Kyutt
;
M. I. Makovijchuk
;
Yu. A. Nikolaev
;
E. O. Parshin
;
V. I. Sakharov
;
I. T. Serenkov
;
E. I. Shek
;
K. F. Shtelmakh
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon erbium;
implantation;
annealing;
photoluminescence;
structural defects;
54.
Formation of Grown-in Defects in CZ-Si Crystals
机译:
CZ-Si晶体中成长缺陷的形成
作者:
M. Hasebe
;
K. Nakai
;
W. Ohashi
;
Y. Ikematsu
;
T. Mizutani
;
T. Iwasaki
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
czochralski;
si;
grown-in defects;
oxygen precipitates;
gate oxide integrity (GOI);
crystal originated particles (COP);
optical precipitate profiler (OPP);
X-ray topography transmission electron microscopy (TEM);
crystal cooling condition;
point defects;
vacancies;
voids;
self-interstitials;
dislocation loops;
55.
Planar Solidification of Multicrystalline Silicon for Photovoltaic Applicatons
机译:
用于光伏应用的多晶硅硅的平面凝固
作者:
W. Koch
;
C. Hassler
;
H.-U. Hofs
;
A. Muller
;
I. A. Schwirtlich
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
photovoltaic;
si;
silicon;
multicrystalline;
planar solidification;
SOPLIN;
casting;
ribbon;
baysix;
56.
Design: New Material Challenge for Silicon ULSI
机译:
设计:硅Ulsi的新材料挑战
作者:
Lionel C. Kimerling
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
cleaning solutions;
gettering;
environmental issues;
57.
Ge Concentration Effect on the Dislocation Mobility in the Bulk SiGe Alloy Single Crystals
机译:
GE集中效应对散装SiGe合金单晶的脱位流动性
作者:
Yu. L. Iunin
;
V. I. Orlov
;
D. V. Dyachenko-Dekov
;
N. V. Abrosimov
;
S. N. Rossolenko
;
W. Schroder
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
dislocation mobility;
SiGe alloys;
point defects;
58.
X-Ray Diffractometry and Admittance Spectroscopy Investigation of Silicon Implanted at Low Energies with Oxygen, Argon, or Silicon
机译:
用氧气,氩气或硅植入低能量植入硅的X射线衍射术和甲型光谱研究
作者:
P. Zaumseil
;
S. Kar
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
ion implantation;
triple crystal diffractometry;
admittance spectroscopy;
strain profile;
ion damage;
SiO_2 precipitation;
MOS structures;
gate oxide;
59.
A Model of Coupled Diffusion of IMpurity Atoms and Point Defects in the Vicinity of Semiconductor Interfaces and Grain Boundaries
机译:
半导体界面附近的杂质原子和点缺陷耦合扩散模型及晶界
作者:
O. I. Velichko
;
A. K. Fedotov
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
grain boundary;
geterojunction;
impurity diffusion;
interfece;
internal stresses;
60.
Alpha-particle Irradiation Induced Defects in Metal-Oxide-Semiconductor Silicon Transistor
机译:
金属氧化物半导体硅晶体管中的α-粒子辐照诱导缺陷
作者:
B. P. Koman
;
R. R. Ivanochko
;
A. K. Shkolnyy
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
MOS - transistor;
alpha particles;
subthreshold current;
61.
Metallic IMpurity Gettering in MeV Implanted Si
机译:
Mev植入si的金属杂质吸收
作者:
O. Kononchuk
;
R. A. Brown
;
S. Koveshnikov
;
K. Beaman
;
F. Gonzalez
;
G. A. Rozgonyi
会议名称:
《International meeting on gettering and defect engineering in semiconductor technology》
|
1997年
关键词:
silicon;
gettering;
MeV ion implantation;
metallic impurities;
SIMS;
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