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吴文刚; 曾峥; 罗晋生;
西安交通大学电子工程系;
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构;
机译:基于(0 0 1)Si衬底的应变Si_(1-x)Ge_x中的带隙变窄
机译:在超净低压CVD中,PH_3和Si_2H_6在应变的Si_(1-x)Ge_x / Si(1 0 0)上交替发生表面反应,从而使P原子层掺杂的Si膜外延生长
机译:固相外延生长的Si_(1-x)Ge_x层中的应变弛豫机制:层组成和生长温度的影响
机译:辐射诱导高度掺杂的n型Si_(1-x)Ge_x应变层中的缺陷水平
机译:通过有限反应处理在硅(1-x)锗(x)应变层中形成错配位错
机译:应变晶体的扭结带形变带和双晶层中的晶格旋转
机译:各向同性超应变石墨烯的能带变窄和Mott局部化
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。
机译:应变补偿重掺杂腐蚀停止层在硅结构形成中的应用
机译:应变补偿重掺杂蚀刻停止层在硅结构形成中的应用
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