p型Si1—xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

摘要

本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型，借助这个模型，计算了赝晶生长在〈１００《Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２－３×１０＾１９ｃｍ＾－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此深度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。