重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法

摘要

本发明提供一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法，包括步骤：A.提供重掺杂P型衬底；B.在重掺杂P型衬底上生长低阻N型外延层；C.在低阻N型外延层上生长重掺杂N型界面层，在此过程中采用高温烘烤/低温变速赶气减少生长过程中产生的P型杂质，同时在赶气过程中通入N型掺杂气体；D.在重掺杂N型界面层上生长高阻N型外延层。本发明的高阻N型外延层厚度均匀，在距边10mm以内的电阻率稳定可控，获得了理想的扩展电阻图形(SRP)曲线，产品成品率达99％以上，能够在8寸线实行量产。