Silicon carbide; Silicon; Vapor deposition; Epitaxy; Additives; Phosphorus; Aluminum; Nitrogen; Substrates; Boron;
机译:采用位竞争CVD的SIC掺杂剂掺入控制
机译:通过使用自由基源激光分子束外延控制氧气压力,在蓝宝石和n型4H-SiC上获得稳定的p型ZnO薄膜
机译:SiC和Si量子点通过无氢PECVD共沉积具有n型和p型掺杂剂的富Si SiC薄膜
机译:CVD SiC脱落器中N型和P型掺杂剂控制的网站竞争外延
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:神经元剪接因子Nova控制N型和P型CaV2钙通道中的选择性剪接
机译:温度和注入水平的依赖性以及热氧化对p型和n型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响
机译:CVD siC外延层中n型和p型掺杂剂控制的场地竞争外延