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声明
第一章 绪论
1.1研究的目的和意义
1.2 4H-SiC外延材料中的缺陷
1.3分子动力学在材料模拟中的应用
1.4国内外4H-SiC外延材料缺陷分子动力学模拟现状
1.5本论文的主要工作
第二章 位错及分子动力学的基本理论
2.1前言
2.2位错的基本理论
2.3分子动力学
2.4位错的表征方法
2.5本章小结
第三章 4H-SiC外延材料中位错的研究
3.1前言
3.2堆垛层错(SFs)的形成及其行为的研究
3.2.1堆垛层错(SFs)的形成
3.2.2堆垛层错(SFs)的形为及其影响
3.3微管(MPs)的位错测定及其计算
3.3.1利用X-ray计算外延层中微管引起的形变
3.3.2 4H-SiC外延层中微管的结构分析
3.4螺旋位错TSDs的形貌及影响
3.5本章小结
第四章 SiC位错的分子动力学模拟研究
4.1前言
4.2模型建立
4.2.1 4H-SiC点阵晶胞结构的建立
4.2.2 4H-SiC结构位错的建立
4.3计算方法
4.3.1从头计算分子动力学方法
4.3.2 CASTEP
4.4模拟结果的分析和讨论
4.4.1第一性原理计算结果的讨论方法
4.4.2 4H-SiC局部位错模拟计算结果的讨论
4.5本章小结
第五章 总结与展望
5.1总结
5.2本论文的不足和展望
致谢
参考文献
作者在读期间研究成果