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郭钰; 彭同华; 刘春俊; 杨占伟; 蔡振立;
北京天科合达半导体股份有限公司,北京 102600;
新疆天富能源股份有限公司,石河子 832000;
碳化硅; 同质外延; 位错; 堆垛层错;
机译:电子束辐照引起的4H-SiC(1120)外延层中单个Shockley堆垛层错的扩展
机译:4H-SiC外延层中氧化引起的堆垛层错的光致发光研究
机译:紫外光致发光成像光谱技术在厚,轻度n型掺杂,4°-off 4H-SiC外延层上的堆垛层错识别中的应用
机译:紫外光致发光成像的4H-SiC外延层中的堆垛层错收缩。
机译:Mg和Mg合金堆垛层错和长周期堆垛有序结构的第一性原理研究
机译:低压对4H-SiC外延层表面粗糙度和形貌缺陷的影响
机译:4H-siC同质外延层堆垛层错特性的阴极发光研究
机译:用于在半导体部件的外延层中尽可能减小堆垛层错密度的方法。
机译:减少堆垛层错形核位点的结构和减少堆垛层错形核位点的结构的光刻方法
机译:减少堆垛层错成核点的光刻方法及减少堆垛层错成核点的结构
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