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公开/公告号CN112365936A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN202011132575.0
发明设计人 曹靖;杨毅;许增光;王奕璇;柴军瑞;张晓飞;覃源;杨天;田维欣;李炎隆;刘云贺;
申请日2020-10-21
分类号G16C60/00(20190101);G06F30/20(20200101);G06F119/04(20200101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人燕肇琪
地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
入库时间 2023-06-19 09:52:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-21
授权
发明专利权授予
机译: 实际应力下电荷转移阵列特性和老化的研究方法及电路及其对DRAM MOSFET阵列晶体管的实现
机译: 实际应力下电荷转移阵列晶体管特性及老化的研究方法及电路及其在DRAM MOSFET阵列晶体管中的应用
机译:氧化水平和饱和芳烃树脂沥青质分数变化引起的沥青粘合剂化学老化的分子动力学模拟
机译:氧化性老化动力学和沥青途径模拟:Reaxff分子动力学研究
机译:分子动力学模拟研究沥青氧化引起的老化行为
机译:高温条件下二氧化硅表面上原子氧的复合系数:实验和分子动力学模拟
机译:用分子动力学模拟研究沥青老化行为
机译:复杂环境下SBS改性沥青的老化机理及性能
机译:弥漫反射红外光谱的用途监测紫外线辐照和天然老化沥青和沥青的氧化
机译:铺路沥青:化学成分,氧化老化和沥青 - 集料相互作用。第二部分,