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傅竹西;
中国科学技术大学物理系;
砷铝镓; 汽相外延生长; 铝组分;
机译:高温AlN缓冲层厚度对HVPE生长的Al_xGa_(1-x)N外延层性能的影响
机译:生长温度对HVPE生长的Al_xGa_(1-x)N外延层性能的影响
机译:通过金属有机气相外延生长的高AlN摩尔分数Al_xGa_(1-x)N多量子阱的阱层中的适当Si掺杂来减少阳离子空位浓度
机译:Mocvd生长的Al_xGa_(1-x)N外延层的载流子复合动力学
机译:富铝氮化铝/氮化铝镓外延层和量子阱的MOCVD生长和表征。
机译:分子束外延生长GaAsSb外延层中的局部状态研究
机译:GaN模板对通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在铟非常富集的条件下生长到AlInN外延层中的意想不到的Ga原子的贡献
机译:aLE(原子层外延)和mBE(分子束外延)方法在层状Hg(1-x)Cd(x)Te薄膜生长中的应用
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
机译:利用MOCVD对高质量外延层进行四步纳米线外延横向过生长的方法
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