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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究

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摘要

分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程,给出了In并入外延层的效率表达式.依据该表达式,解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响.

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来源
《华南理工大学学报（自然科学版）》|2001年第8期|45-48|共4页
作者
文尚胜; 范广涵; 廖常俊; 刘颂豪;
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作者单位

华南理工大学应用物理系,;

华南师范大学MOCVD实验室,;

华南师范大学MOCVD实验室,;

华南师范大学MOCVD实验室,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
低压金属有机化合物气相外延; 并入效率; In组分;
入库时间 2023-07-25 12:00:29

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