机译:热退火对InP上生长的GaAsSb外延层中载流子定位和自旋检测效率的影响
机译:MOCVD在(311)A-和(311)B-InP衬底上生长的InAlAs / InP中的载流子定位和热重分布
机译:在(311)A-和(311)B-INP基板上的MOCVD载体/ INP中的载体/ INP中的载体和热再分布
机译:通过施加纵向磁场或后生长退火工艺,可以提高基于GaAsSb的自旋检测效率
机译:快速热退火对InP上InAlAs / GaAsSb HIGFET外延层的结构完整性的影响
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:分子束外延生长GaAsSb外延层中的局部状态研究
机译:快速热退火对III-V副词在单片硅片的螺纹脱位密度的影响
机译:不同退火周期的si(211)衬底上生长的CdTe外延层缺陷的共焦micro-pL映射。