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International symposium on compound semiconductors
International symposium on compound semiconductors
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1.
Hyperabrupt Si-doping profile in MOVPE growth of varactor diodes
机译:
变容二极管MOVPE生长中的超突变Si掺杂分布
作者:
F. Bugge
;
P. Heymann
;
E. Richter
;
M. Weyers
会议名称:
《》
|
1995年
2.
The lifetime limiting defect in SiC
机译:
SiC的寿命限制缺陷
作者:
N T Son
;
E Soerman
;
W M Chen
;
O Kordina
;
B Monemar
;
E Janzen
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
3.
Characterization of In-Situ Variable-Energy Focused Ion Beam/MBE MQW Structures
机译:
原位可变能量聚焦离子束/ MBE MQW结构的表征
作者:
D J Bone
;
H Lee
;
K Williams
;
J S Harris Jr.
;
R F W Pease
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
4.
Planar, low loss InGaAsP/InP Photoelastic waveguide devices
机译:
平面,低损耗InGaAsP / InP光弹性波导器件
作者:
X. S. Jiang
;
Q. Z. Liu
;
L. S. Yu
;
B. Zhu
;
Z. F. Guan
;
S. A. Pappert
;
P. K. L. Yu
;
S. S. Lau
会议名称:
《》
|
1995年
5.
Effects of Impurity-Free and Impurity-Induced Disordering (IID) on the Optical Properties of GaAs/(Al,Ga)As Distributed Bragg Reflectors
机译:
无杂质和杂质引起的无序度(IID)对GaAs /(Al,Ga)As分布布拉格反射器光学性能的影响
作者:
P.D. Floyd
;
J.L. Merz
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
6.
Quantum Cellular Automata: Computing with Quantum Dot Molecules
机译:
量子细胞自动机:利用量子点分子进行计算
作者:
P D Tougaw
;
C S Lent
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
7.
Controlled Nucleation of InAs Clusters on (100) GaAs Substrates by Electron Beam Lithography
机译:
电子束光刻技术在(100)GaAs衬底上控制InAs团簇形核
作者:
J. W. Sleight
;
R. E. Welser
;
L. J. Guido
;
M. Amman
;
M. A. Reed
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
8.
Progress towards high temperature, high power SiC devices
机译:
向高温,高功率SiC器件发展
作者:
Philip G. Neudeck
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
9.
MBE Growth of AlGaAs Using Sb as a Surfactant
机译:
使用Sb作为表面活性剂MBE生长AlGaAs
作者:
R. Kaspi
;
D. C. Reynolds
;
K. R. Evans
;
E. N. Taylor
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
10.
Emission spectra and lifetimes of near surface GaInAs/GaAs quantum wells
机译:
近表面GaInAs / GaAs量子阱的发射光谱和寿命
作者:
J. Dreybrodt
;
F. Daiminger
;
J.P. Reithmaier
;
A. Forchel
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
11.
Characterization Of Carbon Doped GaAs Layers Grown By Chemical Beam Epitaxy
机译:
化学束外延生长碳掺杂GaAs层的表征
作者:
R.Driad
;
F.Alexandre
;
J.L.Benchimol
;
R.Rahbi
;
B.Pajot
;
B.Jusserand
;
B.Sermage
;
G.Le Roux
;
M.Juhel
;
J. Wagner
;
P.Launay
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
12.
Influence of CH_4/H_2 reactive ion etching on the electrical and optical properties of AlGaAs/GaAs and pseudomorphic AlGaAs/inGaAs/GaAs heterostructures
机译:
CH_4 / H_2反应离子刻蚀对AlGaAs / GaAs和准晶AlGaAs / inGaAs / GaAs异质结构的电学和光学性质的影响
作者:
C.M. van Es
;
T.J. Eijkemans
;
J.H. Wolter
;
R. Pereira
;
M. Van Hove
;
M. Van Rossum
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
13.
Physics and Simulation of InGaAsP/InP Lasers
机译:
InGaAsP / InP激光器的物理和模拟
作者:
R. F. Kazarinov
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
14.
0.85-μm 8×8 Bottom-Surface-Emitting Laser Diode Arrays Grown on AlGaAs Substrates by MOCVD
机译:
通过MOCVD在AlGaAs衬底上生长的0.85-μm8×8底部发光激光二极管阵列
作者:
Yoshitaka Kohama
;
Yoshitaka Ohiso
;
Chikara Amano
;
Takashi Kurokawa
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
15.
Strain-symmetrized In_xGa_(1-x)Ss/In_yAl_(1-y)As HEMTs with extremely high 2DEG densities and mobilities
机译:
具有极高2DEG密度和迁移率的应变对称In_xGa_(1-x)Ss / In_yAl_(1-y)As HEMT
作者:
W. Klein
;
G. Boehm
;
H. Heiss
;
S. Kraus
;
D. Xu
;
R. Semerad
;
G. Trankle
;
G. Weimann
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
16.
Non-Alloyed Contacts to GaAs Using Non- Stoichiometric GaAs
机译:
使用非化学计量GaAs与GaAs的非合金触点
作者:
M.P. Patkar
;
J.M. Woodall
;
T.P. Chin
;
M.S. Lundstrom
;
M.R. Melloch
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
17.
Steady-state, dynamic and spectral performance of microcavity surface-emitting strained quantum-well lasers
机译:
微腔表面发射应变量子阱激光器的稳态,动态和光谱性能
作者:
Igor Vurgaftman
;
Jasprit Singh
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
18.
Vertical-cavity surface-emitting lasers with buried lateral current confinement
机译:
具有埋入横向电流限制的垂直腔面发射激光器
作者:
S. Rochus
;
T. Roehr
;
H. Kratzer
;
G. Boehm
;
W. Klein
;
G. Traenkle
;
G. Weimann
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
19.
MBE growth of low threshold laser structures employing short-period superlattices
机译:
使用短周期超晶格的低阈值激光结构的MBE生长
作者:
H. Riechert
;
D. Bernklau
;
A. Milde
;
M. Schuster
;
H. Cerva
;
C. Hoyler
;
H.-D. Wolf
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
20.
Monolithically Integrated Optical Receivers and Transmitters
机译:
单片集成光接收器和发送器
作者:
D. T. Nichols
;
W. S. Hobson
;
P. R. Berger
;
N. K. Dutta
;
P. R. Smith
;
J. Lopata
;
D. L. Sivco
;
A. Y. Cho
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
21.
Overview and Status of the European Framework/ESPRIT programmes
机译:
欧洲框架/ ESPRIT计划的概述和现状
作者:
Steven P. Beaumont
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
22.
Thickness and strain effects on optical constants of thin epitaxial layers
机译:
厚度和应变对薄外延层光学常数的影响
作者:
C.M. Herzinger
;
P.G. Snyder
;
F.G. Celii
;
Y.-C. Kao
;
D. Chow
;
B. Johs
;
J.A. Woollam
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
23.
Characterization of layered InGaAsP/InP structures by means of time resolved transient grating technique
机译:
时间分辨瞬态光栅技术表征层状InGaAsP / InP结构
作者:
J.Vaitkus
;
S.Juodkazis
;
M.Petrauskas
;
M.Willander
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
24.
Advances In Silicon Carbide Device Processing And Substrate Fabrication For High Power Microwave And High Temperature Electronics
机译:
大功率微波和高温电子设备的碳化硅器件加工和衬底制造研究进展
作者:
C.D. Brandt
;
A.K. Agarwal
;
G. Augustine
;
A.A. Burk
;
R.C. Clarke
;
R.C. Glass
;
H.M. Hobgood
;
J.P. McHugh
;
P.G. McMullin
;
R.R. Siergiej
;
T.J. Smith
;
S. Sriram
;
M.C. Driver
;
R.H. Hopkins
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
25.
Silicon Carbide Substrates and Power Devices
机译:
碳化硅衬底和功率器件
作者:
John W. Palmour
;
Valeri F. Tsvetkov
;
Lori A. Lipkin
;
Calvin H. Carter Jr.
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
26.
Photoinduced near-surface electric field screening in GaAs/AlGaAs MQW structures
机译:
GaAs / AlGaAs MQW结构中的光致近表面电场屏蔽
作者:
V. N.Astratov
;
O.Z. Karimov
;
Yu.A.Vlasov
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
27.
Photocurrent spectroscopy of 2-dimensional excitons in 5-nm wide InGaAs/InAlAs multi quantum wells
机译:
5 nm宽InGaAs / InAlAs多量子阱中二维激子的光电流能谱
作者:
N. Kotera
;
K. Tanaka
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
28.
Theoretical and experimental study of polarization- dependent photoluminescence in In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs quantum wires
机译:
In_(0.2)Ga_(0.8)As / GaAs量子线中偏振相关的光致发光的理论和实验研究
作者:
J. Shuttlewood
;
K. Ko
;
P. Bhattacharya
;
S. W. Pang
;
I. Vurgaftman
;
J. Singh
;
T. Brock
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
29.
Characterization of inactive carbon in GaAs
机译:
GaAs中惰性碳的表征
作者:
A.J. Moll
;
J.W. Ager Ⅲ
;
Kin Man Yu
;
W. Walukiewicz
;
E.E. Haller
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
30.
Annealing of nitrogen-doped ZnSe at high pressures: Toward suppression of native defect formation
机译:
氮掺杂ZnSe的高压退火:抑制自然缺陷的形成
作者:
A. L. Chen
;
W. Walukiewicz
;
E. E. Haller
;
H. Luo
;
G. Karczewski
;
J. Furdyna
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
31.
Electron emission at Si_3N_4 - GaAs interfaces prepared with H_2, Ar and H_2 +Ar plasma pretreatments
机译:
H_2,Ar和H_2 + Ar等离子体预处理制备的Si_3N_4-GaAs界面的电子发射
作者:
Q.H.Wang
;
M.I.Bowser
;
J.G.Swanson
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
32.
Structural and Magnetotransport Properties of InGaAs/InAlAs heterostructures grown on linearly- graded Al(InGa)As buffers on GaAs
机译:
在GaAs上线性梯度Al(InGa)As缓冲层上生长的InGaAs / InAlAs异质结构的结构和磁传输性质
作者:
R.S. Goldman
;
Jianhui Chen
;
K.L. Kavanagh
;
H.H. Wieder
;
V.M. Robbins
;
J.N. Miller
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
33.
Si/SiGe modulation doped structures grown by gas source molecular beam epitaxy
机译:
气源分子束外延生长的Si / SiGe调制掺杂结构
作者:
A. Matsumura
;
R. S. Prasad
;
T. J. Thornton
;
J. M. Fernandez
;
M. H. Xie
;
X. Zhang
;
J. Zhang
;
B. A. Joyce
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
34.
X-Ray differential diffractometry applied to GaN grown on SiC
机译:
X射线微分衍射法应用于SiC上生长的GaN
作者:
Irina P. Nikitina
;
Vladimir A. Dmitriev
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
35.
Frequency Limitations of Quantum-Wire Lasers
机译:
量子线激光器的频率限制
作者:
Sandip Tiwari
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
36.
Fundamental Limits for Linearity of Cable TV Lasers
机译:
有线电视激光器线性度的基本限制
作者:
Vera B. Gorfinkel
;
Serge Luryi
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
37.
Mechanical stress in AlGaAs ridge lasers: its measurement and effect on the optical near field
机译:
AlGaAs脊形激光器中的机械应力:其测量及其对光学近场的影响
作者:
P W Epperlein
;
G Hunziker
;
K Daetwyler
;
U Deutsch
;
H P Dietrich
;
D J Webb
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
38.
POWER COMBINING OF DOUBLE BARRIER RESONANT TUNNELLING DIODES AT W-BAND
机译:
W波段双壁垒谐振隧道二极管的功率组合
作者:
R E Miles
;
D P Steenson
;
R D Pollard
;
J M Chamberlain
;
M Henini
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
39.
Selective molecular beam epitaxy for multifunction microwave integrated circuits
机译:
多功能微波集成电路的选择性分子束外延
作者:
Dwight C. Streit
;
Donald K. Umemoto
;
Thomas R. Block
;
An-Chich Han
;
Michael Wojtowicz
;
Kevin Kobayashi
;
Aaron K. Oki
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
40.
High performance AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTs after Epitaxial Lift-Off
机译:
外延剥离后的高性能AlGaAs / InGaAs伪晶HEMT
作者:
Y Baeyens
;
C Brys
;
J De Boeck
;
W De Raedt
;
B Nauwelaers
;
G Borghs
;
P Demeester
;
M Van Rossum
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
41.
Development of Refractory NiGe-based Ohmic Contacts to n- type GaAs
机译:
n型GaAs难熔NiGe基欧姆接触的开发
作者:
Takco Oku
;
Hiroki Wakimoto
;
Masaki Furumai
;
Hidenori Ishikawa
;
Hirotaka R. Kawata
;
Akira Otsuki
;
Masanori Murakami
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
42.
Rapid thermal annealing effects on the structural integrity of InAlAs/GaAsSb HIGFET epilayers on InP
机译:
快速热退火对InP上InAlAs / GaAsSb HIGFET外延层的结构完整性的影响
作者:
K.G. Merkel
;
C.L.A. Cerny
;
R.T. Lareau
;
V.M. Bright
;
P.W. Yu
;
F.L. Schuermeyer
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
43.
A Novel Area-Variable Varactor Diode
机译:
一种新型的面积可变变容二极管
作者:
Dong-Wook Kim
;
Jeong-Hwan Son
;
Song-Cheol Hong
;
Young-Se Kwon
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
44.
Fabrication and Performance of Ino.53Gao.47As/AlAs Resonant Tunneling Diodes Overgrown on GaAs/AlGaAs Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
Gao / AlGaAs异质结双极晶体管上生长的Ino.53Gao.47As / AlAs谐振隧穿二极管的制备及性能
作者:
K. B. Nichols
;
E. R. Brown
;
M. J. Manfra
;
O. B. McMahon
;
P. J. Zampardi
;
R. L. Pierson
;
K. C. Wang
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
45.
Resonant tunneling through zero-dimensional Si-impurity states in GaAs/AlAs single-barrier structures
机译:
GaAs / AlAs单势垒结构中穿过零维Si杂质态的共振隧穿
作者:
Hiroyuki Fukuyama
;
Takao Waho
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
46.
Quantum dot single-photon and electron-hole turnstile devices
机译:
量子点单光子和电子空穴旋转装置
作者:
A. Imamoglu
;
Y. Yamamoto
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
47.
Overview and Status of the Quantum Functional Devices Project
机译:
量子功能设备项目的概述和状态
作者:
Shigeo Okayama
;
Ichiro Ishida
;
Nobuo Aoi
;
Shuku Maeda
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
48.
A Planar Self-Aligned GaAlAs/GaAs HBT Technology Achieved by CBE Selective Base and Collector Contacts Regrowth
机译:
CBE选择性基极和集电极触点再生长实现的平面自对准GaAlAs / GaAs HBT技术
作者:
P.Launay
;
R.Driad
;
F.Alexandre
;
Ph.Legay
;
AM.Duchenois
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
49.
Experimental Investigation of Low Frequency Noise Properties of AlGaAs/GaAs and GaInP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
AlGaAs / GaAs和GaInP / GaAs异质结双极晶体管的低频噪声特性的实验研究
作者:
Jin-Ho Shin
;
Joon-Woo Lee
;
Young-Seok Seo
;
Young-Sik Kim
;
Bumman Kim
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
50.
Compositional Control of (Zn,Mg)(S,Se) Epilayers Grown By MBE for II/VI Blue Green Laser Diodes
机译:
MBE生长的II / VI蓝绿色激光二极管的(Zn,Mg)(S,Se)外延层的成分控制
作者:
M. Ringle
;
D. C. Grillo
;
J. Han
;
R.L. Gunshor
;
G. C. Hua
;
A. V. Nurmikko
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
51.
Dark defects in II-VI blue-green laser diodes
机译:
II-VI蓝绿色激光二极管中的暗缺陷
作者:
G C Hua
;
D C Grillo
;
J Han
;
M D Ringle
;
Y Fan
;
R L Gunshor
;
M Hovinen
;
A V Nurmikko
;
N Otsuka
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
52.
Effect of carrier recombination at the emitter-base heterojunction on the performance of GaInP/GaAs and AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
发射极-基极异质结处载流子复合对GaInP / GaAs和AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管性能的影响
作者:
Z.H. Lu
;
A. Majerfeld
;
L.W. Yang
;
P.D. Wright
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
53.
Energy Transport Modeling of HBTs Considering Composition-, Doping- and Energy-Dependence of Transport Parameters
机译:
考虑传输参数的组成,掺杂和能量依赖性的HBT能量传输模型
作者:
A. Nakatani
;
K. Horio
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
54.
Measurement of the electron ionization coefficient at low electric fields in Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
异质结双极晶体管中低电场下电子电离系数的测量
作者:
C. Canali
;
S. Chandrasekhar
;
F. Capasso
;
R. A. Hamm
;
R. Malik
;
C. Forzan
;
A. Neviani
;
L. Vendrame
;
E. Zanoni
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
55.
Electron Transport Mechanisms in Abrupt- and Graded-Base/Collector AlInAs/GaInAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors
机译:
突变型和渐变基/集电极AlInAs / GaInAs / InP双异质结构双极晶体管中的电子传输机理
作者:
H. J. De Los Santos
;
M. Hafizi
;
T. Liu
;
D. B. Rensch
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
56.
Quantum scattering states in open two-dimensional electronic systems and the local density of states
机译:
开放二维电子系统中的量子散射态和态的局部密度
作者:
Henry K. Harbury
;
Wolfgang Porod
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
57.
Monte Carlo investigation of three-dimensional effects in sub-micron GaAs MESFETs
机译:
蒙特卡洛研究亚微米GaAs MESFET中的三维效应
作者:
Shankar S. Pennathur
;
Stephen M. Goodnick
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
58.
Evaluation of electron ionization threshold energies for Al_xGa_(1-x)As on a hypercube
机译:
超立方体上Al_xGa_(1-x)As的电子电离阈值能量的评估
作者:
V. Chandramouli
;
Christine M. Maziar
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
59.
Quantum Interference Effects in Finite Antidot Lattices
机译:
有限解毒剂晶格中的量子干涉效应
作者:
R. Schuster
;
K. Ensslin
;
D. Wharam
;
V. Dolgopolov
;
J. P. Kotthaus
;
G. Boehm
;
W. Klein
;
G. Traenkle
;
G. Weimann
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
60.
Interference of ballistic quantum electron waves in electronic stub tuners
机译:
电子存根调谐器中弹道量子电子波的干扰
作者:
P. Debray
;
J. Blanchet
;
R. Akis
;
P. Vasilopoulos
;
J. Nagle
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
61.
Efficient modulation of carrier density in novel double quantum well structure by low optical pump power
机译:
低光泵浦功率有效调制新型双量子阱结构中的载流子密度
作者:
M. Ruefenacht
;
H. Akiyama
;
S. Tsujino
;
Y. Kadoya
;
H. Sakaki
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
62.
Resonant Tunneling in Semi-metal/Semiconductor, ErAs/(Al,Ga)As, Heterostructures
机译:
半金属/半导体,ErAs /(Al,Ga)As,异质结构中的共振隧穿
作者:
Kai Zhang
;
D.E. Brehmer
;
S.J. Allen Jr.
;
C.J. Palmstrom
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
63.
Ballistic Electron Transport and Superconductivity in Mesoscopic Nb-(InAs/AlSb) Quantum Well Heterostructures
机译:
介观Nb-(InAs / AlSb)量子阱异质结构中的弹道电子传输和超导性
作者:
Herbert Kroemer
;
Chanh Nguyen
;
Evelyn L. Hu
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
64.
Optimization of InAsSb/InGaAs Strained-Layer Superlattice Growth by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition For Use In Infrared Emitters
机译:
金属有机化学气相沉积法优化InAsSb / InGaAs应变层超晶格生长用于红外发射体
作者:
R. M. Biefeld
;
K. C. Baucom
;
D. M. Follstaedt
;
S. R. Kurtz
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
65.
Growth of Aluminum Antimonide and Gallium Antimonide by MOMBE
机译:
MOMBE生长锑化铝和锑化镓
作者:
K. SHIRALAGi
;
R. Tsui
;
D. Cronk
;
G. Kramer
;
N. D. Theodore
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
66.
Low-pressure-MOVPE growth and characterization of InAs/AlSb/GaSb-heterostructures
机译:
低压MOVPE生长和InAs / AlSb / GaSb异质结构的表征
作者:
M. Behet
;
P. Schneider
;
D. Moulin
;
H. Hamadeh
;
J. Woitok
;
K. Heime
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
67.
Growth of InP, GaP, and GaInP by Chemical Beam Epitaxy using Alternative Sources
机译:
使用替代光源通过化学束外延生长InP,GaP和GaInP
作者:
H.H. Ryu
;
C.W. Kim
;
L.P. Sadwick
;
G.B. Stringfellow
;
R. W. Gedridge Jr.
;
A.C. Jones
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
68.
Chemical beam epitaxy of InGaAs/GaAs multiple quantum wells using cracked or uncracked tris-dimethylaminoarsenic
机译:
InGaAs / GaAs多量子阱使用裂化或未裂化的三-二甲基氨基砷的化学束外延
作者:
H K Dong
;
N Y Li
;
C W Tu
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
69.
Strain Characterization of AsH3 Induced Exchange Reactions in InP Grown by OMVPE
机译:
OMVPE生长的InP中AsH3诱导的交换反应的应变表征
作者:
A. R. Clawson
;
C. M. Hanson
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
70.
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of Al_xGa_(1-x)As/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE
机译:
LP-MOVPE和MBE沉积的Al_xGa_(1-x)As / GaAs结构的电学和光学特性的比较研究
作者:
Hilde Hardtdegen
;
M. Hollfelder
;
Chr. Ungermanns
;
T. Raafat
;
R. Carius
;
A. Foerster
;
J. Lange
;
H. Lueth
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
71.
Effects of annealing using plasma-CVD SiN film as a cap on 2DEG mobility
机译:
使用等离子CVD SiN膜作为帽的退火对2DEG迁移率的影响
作者:
S. Nakata
;
M. Yamamoto
;
T. Mizutani
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
72.
Low ion energy ECR etching of InP using Cl_2/N_2 mixture
机译:
Cl_2 / N_2混合物对InP的低离子能ECR蚀刻
作者:
S.Miyakuni
;
R.Hattori
;
K.Sato
;
O.Ishihara
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
73.
Surface structure of GaSb and AlSb grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长GaSb和AlSb的表面结构
作者:
Berinder Brar
;
Devin Leonard
;
John H. English
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
74.
Deep Levels in Undoped Bulk 6H-SiC and Associated Impurities: Application of Optical Admittance Spectroscopy to SiC
机译:
未掺杂的块状6H-SiC中的深能级及相关杂质:光学导纳光谱在SiC中的应用
作者:
W.C. Mitchel
;
Matthew Roth
;
S. R. Smith
;
A.O. Evwaraye
;
J. Solomon
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
75.
Optically detected cyclotron resonance study of high- purity 6H-SiC CVD-layers
机译:
光学检测高纯6H-SiC CVD层的回旋共振研究
作者:
N T Son
;
O. Kordina
;
A.O. Konstantinov
;
W.M. Chen
;
E. Soerman
;
B. Monemar
;
E. Janzen
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
76.
GaN/AlGaN Field Effect Transistors for High Temperature Applications
机译:
高温应用中的GaN / AlGaN场效应晶体管
作者:
M. S. Shur
;
A. Khan
;
B. Gelmont
;
R. J. Trew
;
M. W. Shin
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
77.
Some aspects of GaN electron transport properties
机译:
GaN电子传输性能的某些方面
作者:
D. K. Gaskill
;
K. Doverspike
;
L.B. Rowland
;
D. L. Rode
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
78.
Selective Regrowth of Highly Resistive InP Current Blocking Layers by a Low Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
低压金属有机气相外延对高阻InP电流阻挡层的选择性再生长
作者:
Dae Kon Oh
;
Hyung Mun Kim
;
Chongdae Park
;
Jeong Soo Kim
;
Seung Won Lee
;
HeungRo Choo
;
Hong Man Kim
;
Hyung Moo Park
;
Sin-Chong Park
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
79.
Thermal stability of acceptor Si in δ-doped GaAs grown on GaAs(111)A by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长在GaAs(111)A上的δ掺杂GaAs中受主Si的热稳定性
作者:
M. Hirai
;
H. Ohnishi
;
K. Fujita
;
T. Watanabe
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
80.
Low Leakage, High Performance GaAs-Based High Temperature Electronics
机译:
低泄漏,基于GaAs的高性能高温电子产品
作者:
L.P. Sadwick
;
R.J. Crofts
;
Y.H. Feng
;
M. Sokolich
;
R.J. Hwu
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
81.
Lateral npn-phototransistors with high gain and high spatial resolution fabricated by focused laser beam induced Zn doping of GaAs/AlGaAs quantum wells
机译:
通过聚焦激光束诱导GaAs / AlGaAs量子阱的Zn掺杂制备的高增益和高空间分辨率的横向npn光电晶体管
作者:
P. Baumgartner
;
C. Engel
;
G. Abstreiter
;
G. Boehm
;
G. Traenkle
;
G. Weimann
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
82.
Stimulated emission from GaN grown on SiC
机译:
SiC上生长的GaN的受激发射
作者:
A S Zubrilov
;
V I Nikolaev
;
V A Dmitriev
;
K G Irvine
;
J A Edmond
;
C H Carter Jr.
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
83.
Contactless HBT Equivalent Circuit Analysis Using the Modulation Frequency Dependence of Photoreflectance
机译:
基于光反射调制频率相关性的非接触式HBT等效电路分析
作者:
Wojciech Krystek
;
H Qiang
;
Fred H Pollak
;
Dwight C Streit
;
Michael Wojtowicz
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
84.
Ensemble Monte Carlo Calculation of the Hole Initiated Impact Ionization Rate in Bulk GaAs and Silicon Using a k- Dependent, Numerical Transition Rate Formulation
机译:
使用k依赖的数值跃迁速率公式,对块状GaAs和硅中空穴引发的碰撞电离率进行了集成蒙特卡罗计算
作者:
Ismail H. Oguzman
;
Yang Wang
;
Jan Kolnik
;
Kevin F. Brennan
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
85.
Hole charging effects in Sb-based resonant tunneling structures
机译:
基于Sb的共振隧穿结构中的空穴电荷效应
作者:
J.N. Schulman
;
D.H. Chow
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
86.
Real Time Monitoring of Ⅲ-Ⅴ Alloy Composition and Real Time Control of Quantum Well Thickness in MBE by Multi-Wavelength Ellipsometry
机译:
多波长椭偏仪实时监测MBE中Ⅲ-Ⅴ族合金成分并实时控制量子阱厚度
作者:
Chau-Hong Kuo
;
Satish Anand
;
Ravi Droopad
;
David L. Mathine
;
George N. Maracas
;
B. Johs
;
P. He
;
J. A. Woollam
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
87.
Graded In_(x_o≤x≤0.5)Ga_(1-x)As/InP buffer layers on GaAs prepared by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在GaAs上梯度In_(x_o≤x≤0.5)Ga_(1-x)As / InP缓冲层
作者:
K. Haeusler
;
K. Eberl
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
88.
Photoluminescence Determination of Valence-Band Symmetry and Auger-1 Threshold Energy in Compressed InAsSb Layers
机译:
发光InAsSb层中价带对称性和Auger-1阈能的光致发光测定
作者:
S. R. Kurtz
;
R. M. Biefeld
;
L. R. Dawson
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
89.
Local Vibrational Mode Spectroscopy of Beryllium- and Zinc-Hydrogen Complexes in GaP
机译:
GaP中铍和锌氢配合物的局部振动模式光谱
作者:
M. D. McCluskey
;
E. E. Haller
;
J. Walker
;
N. M. Johnson
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
90.
Step-controlled epitaxial growth of α-SiC and application to high-voltage Schottky rectifiers
机译:
α-SiC的逐步控制外延生长及其在高压肖特基整流器中的应用
作者:
T.Kimoto
;
A.Itoh
;
H.Akita
;
T.Urushidani
;
S.Jang
;
H.Matsunami
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
91.
Highly Efficient Light-Emitting Diodes with Microcavities
机译:
带有微腔的高效发光二极管
作者:
E. F. Schubert
;
N. E. J. Hunt
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
92.
Monolithically integrated microwave OEICs by selective OMVPE
机译:
选择性OMVPE的单片集成微波OEIC
作者:
H. Kanber
;
W. W. Lam
;
S. X. Bar
;
C. Beckham
;
P. E. Norris
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
93.
Electron Transport in Doped InAs/InGaAs/AlInAs Quantum Wells and the Effect on FET Performance
机译:
掺杂InAs / InGaAs / AlInAs量子阱中的电子传输及其对FET性能的影响
作者:
John K. Zahurak
;
Agis A. Iliadis
;
Stephen A. Rishton
;
W. Ted Masselmk
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
94.
Two-Dimensional Self-Consistent Modeling of InP/GaInAsP Lateral Current Injection Lasers
机译:
InP / GaInAsP横向电流注入激光器的二维自洽建模
作者:
D.A. Suda
;
T. Makino
;
J.M. Xu
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
95.
Very Low Contact Resistance to n~+-InP Grown Using SiBr_4
机译:
使用SiBr_4生长的n〜+ -InP的接触电阻非常低
作者:
Michael T. Fresina
;
Steven L. Jackson
;
Gregory E. Stillman
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
96.
Ultra-high-speed HEMTs: progress towards the next generation
机译:
超高速HEMT:迈向下一代
作者:
L D Nguyen
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
97.
External gate fringing capacitance model for optimizing a Y-shaped, recess-etched gate FET structure
机译:
外部栅极边缘电容模型,用于优化Y形,凹蚀式栅极FET结构
作者:
M. Fukaishi
;
M. Tokushima
;
S. Wada
;
N. Matsuno
;
H. Hida
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
98.
SiC-A~3N alloys and wide band gap nitrides grown on SiC substrates
机译:
SiC-A〜3N合金和在SiC衬底上生长的宽带隙氮化物
作者:
V A Dmitriev
;
K G Irvine
;
J A Edmond
;
G E Bulman
;
C H Carter Jr.
;
A S Zubrilov
;
I P Nikitina
;
V Nikolaev
;
A I Babanin
;
Yu V Melnik
;
E V Kalinina
;
V E Sizov
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
99.
Effect of Atomic Hydrogen on 670nm AlGaInP Visible Laser
机译:
原子氢对670nm AlGaInP可见光激光器的影响
作者:
Won-Jin Choi
;
Ji-Ho Chang
;
Won-Taek Choi
;
Seung-Hee Kim
;
Jong-Seok Kim
;
Shi-Jong Leem
;
Tae-Kyung Yoo
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
100.
Threshold Current Density Reduction by Annealing in 630-650nm GaInP Strained Single Quantum Well Lasers
机译:
通过退火在630-650nm GaInP应变单量子阱激光器中降低阈值电流密度
作者:
Ichirou Nomura
;
Katsumi Kishino
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1995年
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