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黄义贞;
无;
半导体; 半绝缘材料; InP; 外延层; MOCVD法;
机译:半绝缘InP衬底对分子束外延生长InAlAs外延层的影响
机译:将1.55μmInGaAsP / InP激光器掩埋在半绝缘InP衬底上的高电阻外延层中
机译:半绝缘InP外延层的热稳定性:二碳和碳氢中心的作用-艺术。没有。 205307
机译:在Fe掺杂半绝缘INP上生长的InGaAs外延层中的滑动缺陷的表征
机译:使用二氯硅烷的高生长速率和高纯度半绝缘外延,用于功率器件。
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:在半绝缘衬底上生长的外延层的光反射中的干涉效应
机译:液体封装Czochralski法生长钛掺杂半绝缘Inp
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶衬底的生产方法
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶基体的生产
机译:半绝缘性InP单晶和半绝缘性InP单晶的产生
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