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许国阳; 颜学进; 朱洪亮; 段俐宏; 周帆; 田慧良; 白云霞; 王圩;
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心;
激光器; 优化生长; 磷化铟;
机译:将1.55μmInGaAsP / InP激光器掩埋在半绝缘InP衬底上的高电阻外延层中
机译:半绝缘InP:Fe用于气体源分子束外延生长的掩埋异质结构应变补偿量子级联激光器
机译:使用多层接触结构的低电阻1.55μmInGaAsP / InP半绝缘掩埋异质结构激光二极管
机译:高性能掩埋异质结构,波长为1.55μm完全由MOVPE生长的AlGaInAs / InP多量子阱激光器技术
机译:使用叔丁基ar和叔丁基膦优化MOCVD生长以实现1.55微米低阈值电流激光器
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:液体封装Czochralski法生长钛掺杂半绝缘Inp
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶衬底的生产方法
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶基体的生产
机译:半绝缘性InP单晶和半绝缘性InP单晶的产生
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