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半绝缘InP长单晶的生长

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摘要

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.

著录项

来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|186-189|共4页
作者
孙聂枫; 毛陆虹; 郭维廉; 周晓龙; 杨瑞霞; 张伟玉; 孙同年;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

天津300072;

河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室;

石家庄050051;

河北工业大学信息工程学院;

天津300130;

天津农学院机电工程系;

天津300384;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
InP; 孪晶; 直径;

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