机译:在半绝缘衬底上填充有半绝缘InP的MOVPE生长的1.3μmDFB MQW激光器的性能
GEC-Marconi Materials Technology, Caswell, Towcester, Northants. NN12 8EQ, England;
distributed feedback (DFB); GaInAsP; metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE); MQW laser;
机译:在半绝缘基板上制造的可集成且高速复杂耦合的MQW-DFB激光器
机译:具有半绝缘InP电流阻挡区的1.5μmMQW-DFB激光二极管的极低阈值电流操作
机译:RIE和MOVPE制备的半绝缘掺Fe InP埋入异质结构激光器的可靠性和退化行为
机译:40-GB / s直接调制1.3-μm半绝缘埋闭异质结构ALALAS MQW DFB激光器
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:太赫兹光谱区中半绝缘掺铁InP的介电性能
机译:用于膜基光子电路的半绝缘衬底上的侧向电流注入GaInasp / Inp激光器
机译:控制氧气共沉积制备半绝缘mOVpE Gaas的深能级结构