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Jingming Liu; 刘京明; Youwen Zhao; 赵有文; Fenghua Wang; 王凤华; Fengyun Yang; 杨凤云;
中国电子学会;
器件处理; 半绝缘磷化铟; 单晶衬底; 表面残留; 硅浓度; 化学腐蚀;
机译:通过一种新颖的蚀刻和清洁方法改善半绝缘InP衬底的表面质量
机译:半绝缘InP衬底中注入的硅的退火和激活
机译:在半绝缘衬底上填充有半绝缘InP的MOVPE生长的1.3μmDFB MQW激光器的性能
机译:使用扩增的飞秒激光脉冲从半绝缘INP表面辐射到半绝缘INP表面的激发密度依赖性
机译:聚乙烯/多面体低聚倍半硅氧烷复合材料:高压电力电缆的电绝缘=聚乙烯基与多面体低聚硅倍半氧烷添加剂的复合材料:电力电缆的电绝缘
机译:在非晶绝缘衬底上生长单晶金属
机译:用于膜基光子电路的半绝缘衬底上的侧向电流注入GaInasp / Inp激光器
机译:测定半绝缘Inp:Fe的Fe(sup 2+)和Fe(sup 3+)浓度
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶衬底的生产方法
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶基体的生产
机译:半绝缘性InP单晶和半绝缘性InP单晶的产生
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