首页> 外文会议>International Quantum Electronics Conference >Excitation density dependence of terahertz radiations from semi-insulating InP surfaces using amplified femtosecond laser pulses
【24h】

Excitation density dependence of terahertz radiations from semi-insulating InP surfaces using amplified femtosecond laser pulses

机译:使用扩增的飞秒激光脉冲从半绝缘INP表面辐射到半绝缘INP表面的激发密度依赖性

获取原文

摘要

Excitation density dependence of the terahertz radiation in semi-insulating InP was investigated. Substantial changes of the waveforms including a polarity reversal were observed and it is explained by the combination of three radiation mechanisms.
机译:研究了半绝缘INP中的太赫兹辐射的激发密度依赖性。观察到包括极性反转的波形的大量变化,并通过三种辐射机制的组合来解释。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号