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半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

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摘要

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.

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来源
《半导体学报》 |2006年第3期|524-529|共6页
作者
赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
磷化铟; 半绝缘; 缺陷;

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