空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

赵有文; 吕小红; 董志远; 段满龙; 孙文荣

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空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

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利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|175-178|共4页
作者
赵有文; 吕小红; 董志远; 段满龙; 孙文荣;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.2+3;
关键词
磷化铟; 半绝缘; 空位; 填隙;

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