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International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
召开年:
2013
召开地:
Kobe(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
An experimental study of the relaxation behaviour of strained Ga/sub 1-x/In/sub x/P layers grown on GaAs
机译:
在GaAs上生长的应变GA / Sub 1-X / In / Sub X / P层的松弛行为的实验研究
作者:
Schuler O.
;
Wallart X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
2.
Extended cavity lasers in InGaAs-InGaAsP and InGaAlP-GaAs multi-quantum well structure using a sputtered SiO/sub 2/ technique
机译:
使用溅射的SiO / Sub 2 /技术的Ingaas-IngaAsp和IngaAlp-GaAs多量子阱结构的延伸腔激光器
作者:
Qiu B.C.
;
Hamilton C.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
3.
Broadband noise model for InP/InGaAs HBTs
机译:
INP / INGAAS HBTS的宽带噪声模型
作者:
Huber A.
;
Bergamasch C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
4.
Strain-compensated MQW InGaAsP/InGaAsP gain- and index-coupled laser arrays grown by MOVPE under N/sub 2/
机译:
应变补偿的MQW INGAASP / INGAASP由MOVPE在N / SUB 2下生长的增益和索引耦合的激光阵列/
作者:
Piataev V.
;
Kuphal E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
5.
Highly uniform waveguide photodiodes fabricated on a 2-inch wafer with low darkcurrent and high responsivity
机译:
高度均匀的波导光电二极管,在2英寸晶片上制造,具有低暗电流和高响应度
作者:
Funabashi M.
;
Nishikata K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
6.
Transport measurements on AlSb/InAs nanostructures
机译:
在ALSB / INAS纳米结构上运输测量
作者:
Kruppa W.
;
Boos J.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
7.
Power-handling capability of W-band InGaAs pin diode switches
机译:
W波段IngaAs引脚二极管开关的电源处理能力
作者:
Alekseev E.
;
Cui D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
8.
Simulated fabrication of heterojunction bipolar transistors using process technology CAD tools
机译:
使用过程技术CAD工具模拟异质双极晶体管的制造
作者:
Fields C.H.
;
Thomas S. III
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
9.
A high-speed resonant tunneling flip-flop circuit employing a monostable-bistable transition logic element (MOBILE) with an SCFL-type output buffer
机译:
采用SCFL型输出缓冲器的单稳态防滑逻辑元件(移动)的高速谐振隧道触发器电路
作者:
Maezawa K.
;
Matsuzaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
10.
Luminescence study on GaInP doped with Er by OMVPE
机译:
由OMVPE掺杂有ER的GAINP的发光研究
作者:
Fujiwara Y.
;
Ito T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
11.
Latest developments in VGF technology: GaAs, InP, and GaP
机译:
VGF技术的最新发展:GaAs,InP和Gap
作者:
Young M.
;
Liu X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
12.
Passivation of InP with thin layers of MBE-grown CdS
机译:
用MBE-生长CDS的薄层钝化INP
作者:
Dauplaise H.M.
;
Vaccaro K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
13.
Low threshold CW lasing of closely-stacked self-organized InAs/GaAs quantum dots
机译:
低阈值CW激光在紧密堆叠的自组织INAS / GaAs量子点
作者:
Mukai K.
;
Nakata Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
14.
Effect of phosphine plasma on suppression of plasma-induced defects in InGaAs
机译:
膦血浆对凝固血浆诱导缺陷抑制的影响
作者:
Sugino T.
;
Miyazaki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
15.
Composite channel HEMTs for millimeter-wave power applications
机译:
用于毫米波电源应用的复合通道HEMT
作者:
Chevalier P.
;
Wallart X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
16.
InGaAs photodetector with integrated biasing network for mm-wave applications
机译:
InGaAs PhotoDetector具有用于MM-LVERS应用的集成偏置网络
作者:
Trommer D.
;
Umbach A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
17.
InP-based modulator array antennas at 1.06 /spl mu/m
机译:
基于INP的调制器阵列天线在1.06 / SPL MU / m
作者:
Hendrix J.
;
Flamand G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
18.
Efficiency of photoluminescence up-conversion at (Al/sub 0.5/Ga/sub 0.5/)/sub 0.5/In/sub 0.5/P and GaAs heterointerface
机译:
(Al / Sup 0.5 / Ga / sub 0.5 /)/亚/ in / sub 0.5 / p和Gaas异化表面的光致发光升高转化效率
作者:
Yamashita K.
;
Kita T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
19.
Growth of low EPD and homogeneous 2' InP crystals using a newly developed thermal baffle
机译:
使用新开发的热挡板的低EPD和均相2“INP晶体的生长
作者:
Hirano R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
20.
Growth and optical properties of self-assembled type II GaSb/GaAs quantum dots
机译:
自组装II型气体/ GaAs量子点的生长和光学性能
作者:
Suzuki K.
;
Hogg R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
21.
Low noise InAlAs/InGaAs HEMTs grown by MOVPE
机译:
Movpe种植的低噪音Inalas / Ingaas Hemts
作者:
Docter D.P.
;
Elliott K.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
22.
InP in HBTs by vertical and lateral wet etching
机译:
通过垂直和横向湿法蚀刻在HBT中的INP
作者:
Matine N.
;
Dvorak M.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
23.
Valence-band parameters determined by eigenenergies in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As multi-quantum well structures
机译:
由in / sub 0.53 / ga / sub 0.47 / As / su / sup0.52 / al / sub 0.48 /作为多量子井结构的uigenenergies确定的价带参数
作者:
Tanaka K.
;
Kotera N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
24.
Controlled formation of high Schottky barriers on InP and related materials
机译:
对INP及相关材料高肖特基障碍的控制形成
作者:
Hasegawa H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
25.
InP HBT technology and applications
机译:
INP HBT技术和应用
作者:
Streit D.C.
;
Cowles J.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
26.
Monolithically integrated transceivers on InP: the development of a generic integration concept and its technological challenges
机译:
INP的单片集成收发器:通用集成概念的发展及其技术挑战
作者:
Kaiser R.
;
Hamacher M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
27.
Fabrication of InGaAs quantum-wire field-effect transistor by selective growth in molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延的选择性生长通过选择性生长制造InGaAs量子 - 线场效应晶体管
作者:
Sugaya T.
;
Takahashi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
28.
Carrier transport effects in 1.3 /spl mu/m MQW InGaAsP laser design
机译:
1.3 / SPL MU / M MQW IngaAsP激光设计中的载波运输效果
作者:
Silfvenius C.
;
Landgren G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
29.
Precise phase-controlled flexible grating delineated by weighted-dose electron beam lithography
机译:
由加权剂电子束光刻描绘精确的相控柔性光栅
作者:
Muroya Y.
;
Sato K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
30.
Development of a period of three-dimensional photonic crystal operating at optical wavelength region
机译:
光波长区域运行的三维光子晶时段的发展
作者:
Yamamoto N.
;
Noda S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
31.
Does quantum well with mass-dependent width work well in long wavelength?
机译:
量子良好的质量厚度在长波长下工作良好吗?
作者:
Kato M.
;
Tada K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
32.
Reduction of lattice relaxation in thick strained InAs layer during growth interruption
机译:
在生长中断期间在厚紧张InAs层中减少晶格松弛
作者:
Nakayama T.
;
Miyamoto H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
33.
A surface-normal asymmetric Fabry-Perot modulator at 1.3 /spl mu/m using the Wannier-Stark effect of an InP/InGaAsP superlattice
机译:
使用INP / InGaAsP超晶格的Wannier-Stark效果,在1.3 / SPL MU / M处的表面正常不对称法布里-Perot调制器
作者:
Tadanaga O.
;
Kagawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
34.
Systematics of electrical conductivity across InP to GaAs wafer fused interfaces
机译:
INP跨INP的电导率系统的系统融合融合界面
作者:
Hammar M.
;
Wennekes F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
35.
Development of 4-inch diameter InP single crystal with low dislocation density using VCZ method
机译:
使用VCZ方法开发4英寸直径的INP单晶,具有低位脱位密度
作者:
Hosokawa Y.
;
Yabuhara Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
36.
An effect of size fluctuation on photoluminescence peak width of closely stacked InAs self-assembled quantum dot structures
机译:
尺寸波动对紧密堆叠的ina自组装量子点结构的光致发光峰宽的影响
作者:
Endoh A.
;
Nakata Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
37.
High quality InGaAsN growth by MOVPE using N/sub 2/ carrier gas and dimethylhydrazine, tertiarybutylarsine as group V precursors
机译:
MOVPE使用N / SUP 2 /载气和二甲基肼,叔芳基甲胂作为组V前体的高质量INGAASN生长
作者:
Ougazzaden A.
;
Rao E.V.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
38.
Experimental development and incorporation of strain in p-type GaAsSb/InAlAs single metal heterostructure field effect transistors
机译:
p型盖和纳拉斯单金属异质结构场效应晶体管菌株的实验发展与菌株的掺入
作者:
Cerny C.
;
Kaspi R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
39.
MOCVD grown AlInAs/GaInAs short-period-superlattice resonant-tunneling transistor(SPSRTT)
机译:
MOCVD种植Alinas / Gainas短期 - 超晶格共振隧道晶体管(SPSRTT)
作者:
Wen-Chau Liu
;
Shiou-Yang Cheng
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
40.
Evaluation of InAlAs Schottky characteristics grown by MOCVD
机译:
MoCVD种植的Inalas Schottky特征评估
作者:
Ohshima T.
;
Moriguchi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
41.
Thermal crosstalk of laser arrays and the influence on yield
机译:
激光阵列的热串扰和对产量的影响
作者:
Klepser B.
;
Hillmer H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
42.
HF characteristics of InP-based HFETs grown at extremely low temperatures of 300/spl deg/C and below
机译:
基于INP的HFET的HF特征在300 / SPL DEG / C及以下的极低温度下生长
作者:
Lee L.H.
;
Kunze M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
43.
Strain compensated In/sub 1-x/Ga/sub x/As (x0.47) quantum well photodiodes for extended wavelength operation
机译:
应变补偿/亚1-x / ga / sub x / aS(x> 0.47)量子阱光电二极管,用于扩展波长操作
作者:
Dries J.C.
;
Gokhale M.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
44.
Laser/waveguide integration utilizing selective area MOMBE regrowth for photonic IC applications
机译:
利用选择性地区的激光/波导集成Mombe再生用于光子IC应用
作者:
Kunzel H.
;
Ebert S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
45.
Oxide-free InP MIS structures having an ultra-narrow silicon surface quantum well
机译:
没有超窄硅表面量子的无氧化物的INP MIS结构
作者:
Takahashi H.
;
Hasegawa H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
46.
Effects of an InGaP electron barrier layer on 1.55 /spl mu/m laser diode performance
机译:
InGaP电子阻隔层对1.55 / SPL MU / M激光二极管性能的影响
作者:
Abraham P.
;
Piprek J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
47.
Long-wavelength lasing from InAs self-assembled quantum dots on (311)B InP by gas-source molecular beam epitaxy
机译:
通过气源分子束外延(311)B INP从INA自组装量子点开始激光的长波长
作者:
Nishi K.
;
Yamada M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
48.
Dry etch recess of an InGaAs/InAlAs/InP HEMT like structure using a low energy high density SiCl/sub 4/ plasma (ICP)
机译:
使用低能量高密度SiCl / Sub 4 /等离子体(ICP)的干蚀刻凹部/ inp嵌合嵌段象限形结构
作者:
Maher H.
;
Etrillard J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
49.
High performance buried heterostructure 1.55 /spl mu/m wavelength AlGaInAs/InP multiple quantum well lasers grown entirely by MOVPE technique
机译:
高性能埋地异质结构1.55 / SPL MU / M波长AGALAS / INP多量子孔激光器完全由MOVPE技术生长
作者:
Tawee Tanbun-Ek
;
Chu S.N.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
50.
Evaluation of differential gain of 1.3 /spl mu/m AlGaInAs/InP strained MQW lasers
机译:
评估1.3 / SPL MU / M ALGAINAS / INP紧张MQW激光器的差分增益
作者:
Ishikawa T.
;
Higashi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
51.
Ka-band SPSTs in InP-based technology using coplanar waveguides
机译:
基于INP的技术的KA波段SPSTS使用COPLANAR波导
作者:
Ziegler V.
;
Berg M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
52.
Effect of growth conditions on Si doping into InAlAs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
机译:
金属 - 有机气相外延生长条件对Si掺杂进入Inalas的影响
作者:
Goto S.
;
Ueda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
53.
Molecular beam epitaxial growth of InP using a valved phosphorus cracker cell: optimization of electrical, optical and surface morphology characteristics
机译:
使用阀门磷裂纹细胞的分子束外延生长InP:电气,光学和表面形态特征的优化
作者:
Yoon S.F.
;
Zheng H.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
54.
Highly-selective dry etching of InAlAs over InGaAs assisted by ArF excimer laser
机译:
在ARF准分子激光器辅助InGaAs上的Inalas的高度选择性干蚀刻
作者:
Takazawa H.
;
Takatani S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
55.
High output-power operation of 1.3 /spl mu/m gain-coupled DFB laser with narrow spectral-linewidth
机译:
高输出功率操作1.3 / SPL MU / M增益耦合的DFB激光,具有窄光谱线宽
作者:
Inaba Y.
;
Kito M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
56.
Complex-coupled DFB lasers based on a current modulation concept
机译:
基于当前调制概念的复合耦合的DFB激光器
作者:
Tohmon R.
;
Takahashi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
57.
Structural uniformity improvements by control of extra side facets in MBE growth of InP-based InGaAs ridge quantum wires
机译:
结构均匀性通过控制基于INP的InGaAs脊数量线的MBE生长中的额外侧面改进
作者:
Kihara M.
;
Fujikura H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
58.
Model of defect formation in annealed undoped and Fe-doped liquid encapsulated Czochralski InP
机译:
退火未掺杂和Fe掺杂液体封装Czochralski InP的缺陷形成模型
作者:
Zhao Youwen
;
Fung S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
59.
4-5 ps optical pulse generation with 40 GHz train from low driving-voltage modulator modules
机译:
4-5 PS光脉冲产生40 GHz火车从低驱动电压调制器模块
作者:
Wakita K.
;
Yoshino K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
60.
Planar selective re-growth around a dry-etched mesa along the 11~0 direction by addition of HCl during MOCVD growth
机译:
通过加入HCl在MOCVD生长期间,平面围绕干蚀刻的台膜选择性重新生长围绕11〜0方向
作者:
Suzuki D.
;
Kimura T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
61.
Influence of thermal stress on I-V characteristics and low-frequency noise of AlGaInP UHB-LEDs
机译:
热应力对AlGaInP UHB-LED的I-V特性和低频噪声的影响
作者:
Berntgen J.
;
Lieske T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
62.
Impact ionization effects on the microwave performance of InAs channel HFETs: the role of channel quantization
机译:
对INAS通道HFET的微波性能的影响电离效应:信道量化的作用
作者:
Bolognesi C.R.
;
Dvorak M.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
63.
Size-controlled decananometer InGaAs quantum wires grown by selective MBE on InP
机译:
尺寸控制的Decananometer InGaAS量子线通过选择性MBE在INP上生长
作者:
Muranaka T.
;
Okada H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
64.
Surface deformation phenomena induced by electron-beam irradiation in InGaAs/AlGaAs strained layers on GaAs100 and 311B substrates
机译:
通过在GaAs 100和311 B基板上的InGaAs / AlgaAs应变层中的电子束照射诱导的表面变形现象
作者:
Ogawa T.
;
Kawase M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
65.
Semiconductor optical devices for WDM networks
机译:
用于WDM网络的半导体光学器件
作者:
Yoshikuni Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
66.
Optoelectronic logic gate monolithically integrating resonant tunneling diodes and uni-traveling-carrier photo diode
机译:
光电逻辑栅极整体集成谐振隧道二极管和Uni行驶载波光电二极管
作者:
Akeyoshi T.
;
Shimizu N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
67.
In-situ characterization and modeling of MOVPE for optoelectronic devices
机译:
用于光电器件MOVPE的原位表征及建模
作者:
Nakano Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
68.
Growth of TlInGaAs on InP by gas source MBE
机译:
汽油源MBE对坦帕斯的生长
作者:
Takenaka K.
;
Asahi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
69.
Low damage and selective gate recess recess etching of InAlAs/InGaAs HEMTs using fluorine and chlorine gas mixtures
机译:
低损坏和选择性闸门凹陷使用氟和氯气混合物的Inalas / Ingaas Hemts的凹陷蚀刻蚀刻
作者:
Lai L.S.
;
Kao H.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
70.
Low driving current 1.3-/spl mu/m beam-expander integrated laser diode with n-type modulation doped multiple quantum wells
机译:
低驱动电流1.3- / SPL MU / M光束扩展器集成激光二极管,具有n型调制掺杂多量子孔
作者:
Sato H.
;
Komori M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
71.
Study of Raman intensity of LO phonon modes in InGaAsP quaternary alloys grown on InP
机译:
在INP上生长的INGAASP季铵合金中LO声子模式的拉曼强度研究
作者:
Sugiura T.
;
Hase N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
72.
InP-based devices and integrated circuits for millimeter-wave sensor and communication systems
机译:
基于INP的设备和毫米波传感器和通信系统的集成电路
作者:
Dickmann J.
;
Berg M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
73.
Recent progress and future prospect of optical communication systems using InP based opto-electronic devices
机译:
基于INP的光电设备的光通信系统的最新进展与未来前景
作者:
Kobayashi K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
74.
InAs-dot/GaAs structures site-controlled by in situ EB lithography and self-organizing MBE growth
机译:
INAS-DOT / GAAs结构由原位EB光刻控制和自组织MBE增长
作者:
Kohmoto S.
;
Ishikawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
75.
Effect of carrier dynamics on quantum-dot laser performance
机译:
载体动力学对量子点激光性能的影响
作者:
Sugawara M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
76.
Electrical evaluation of dry etching damage on the side wall of mesa structure
机译:
台面结构侧壁干蚀刻损伤的电气评价
作者:
Yamamoto N.
;
Mawatari H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
77.
Improvement of the surface quality of InP wafers using TOF-SIMS as characterisation
机译:
使用TOF-SIMS作为表征改进INP晶片的表面质量
作者:
Thomas N.
;
Jacob G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
78.
Low damage dry-etched grating on a MQW active layer and dislocation-free InP regrowth for 1.55 /spl mu/m complex-coupled DFB lasers fabrication
机译:
低损伤在MQW主动层上的干蚀刻光栅和1.55 / SPL MU / M复合耦合DFB激光器制造的脱位无主动层和无错的INP再生
作者:
Talneau A.
;
Bouadma N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
79.
Photoelastic measurement of chip-bonding induced strains by infrared polariscope
机译:
红外偏振镜对切屑诱导菌株的光弹性测量
作者:
Chu T.
;
Yamada M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
80.
23 GHz monolithically integrated InP/InGaAs PIN/HBT-receiver with 12 THz/spl Omega/ gain-bandwidth product
机译:
23 GHz单整体集成的INP / INGAAS引脚/ HBT-RECERIVER,具有12个THz / SPL omega /增益带宽产品
作者:
Huber D.
;
Bitter M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
81.
High-output-voltage waveguide photodiode employing uni-traveling-carrier structure
机译:
采用Uni-Travel-载波结构的高输出电压波导光电二极管
作者:
Muramoto Y.
;
Kato K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
82.
Design and fabrication of a waveguide photodiode for 1.55-/spl mu/m band access receivers
机译:
1.55- / SPL MU / M频带接收器的波导光电二极管的设计和制造
作者:
Takeuchi T.
;
Nakata T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
83.
AlInAs/GaInAs metamorphic HEMT's on GaAs substrate: from material to device
机译:
GaAs衬底上的Alinas / Gainas Metalymorphic Hemt:从材料到设备
作者:
Cordier Y.
;
Bollaert S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
84.
New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping the surface recombination velocity in InP and related materials
机译:
用于定量绘制INP和相关材料表面重组速度的新扫描光致发光技术
作者:
Krawczyk S.K.
;
Bejar M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
85.
Photonic bandgap crystal InGaAsP membrane microresonators
机译:
光子带隙晶体IngaAsp膜微生物
作者:
Scherer A.
;
DUrso B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
86.
Electroabsorption modulator integrated distributed feedback laser with a negative chirp at zero bias voltage
机译:
电吸收调制器集成分布式反馈激光器,负啁啾处于零偏置电压
作者:
Oshiba S.
;
Nakamura K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
87.
A proposal for improving cutoff-frequency breakdown-voltage products of HEMTs
机译:
改善垫圈截止频率击穿 - 电压产品的提案
作者:
Tsukurimichi H.
;
Hashimoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
88.
New results for nonstoichiometric InP grown by low temperature MBE
机译:
低温下的非特性计量INP的新结果
作者:
Docter D.P.
;
Ibbetson J.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
89.
Post annealing effects on InP single crystals grown by liquid encapsulated Czochralski method
机译:
液体封装Czochralski方法生长的INP单晶的退火效应
作者:
Iwasaki K.
;
Tanaka Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
90.
20 gbit/s modulation of 1.55 /spl mu/m compressively strained InGaAs/InAlGaAs/InP multiple quantum well ridge laser diodes grown by solid source molecular beam epitaxy
机译:
20 Gbit / s调制为1.55 / SPL MU / M压缩紧张的indaas / Inalgaas / Inp多量子阱脊激光二极管通过固体源分子束外延生长
作者:
Kiefer R.
;
Losch R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
91.
A 25 period InAs/sub 0.54/P/sub 0.46//In/sub 0.89/Ga/sub 0.11/P MQW for 1.55 /spl mu/m modulation grown by solid source MBE
机译:
25个时段/亚/分0.54 / p / sug 0.46 // IN / SUB 0.89 / GA / SUB 0.11 / P MQW为1.55 / SPL MU / M调制由固体源MBE生长
作者:
Farley R.J.
;
Haywood S.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
92.
Quantitative analysis of the arsenic distribution in AsH/sub 3/ treated InAs/sub x/P/sub 1-x//InP single quantum well by grazing incidence X-ray reflectivity and photoluminescence
机译:
通过放牧入射X射线反射率和光致发光来定量分析灰/亚3 /次处理INAS / sum X / P / P / Sup 1-X // Inp单量子阱的砷
作者:
Youngboo Moon
;
Euijoon Yoon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
93.
Uniqueness of hydride vapour phase epitaxy in optoelectronic device fabrication
机译:
光电器件制造中氢化物气相外延的唯一性
作者:
Lourdudoss S.
;
Messmer E.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
94.
Highly controllable electrochemical etching of InP studied by voltammetry and scanned probe microscope
机译:
通过伏安法和扫描探针显微镜研究INP的高度可控电化学蚀刻
作者:
Kaneshiro C.
;
Sato T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
95.
First principles band structure calculation and electron transport for strained InAs
机译:
第一个原理频带结构计算和应紧张INA的电子传输
作者:
Hori Y.
;
Miyamoto Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
96.
Fabrication and characterization of InAs/AlGaSb quantum wire transistors
机译:
INAS / ALGASB量子丝晶体管的制造与表征
作者:
Maemoto T.
;
Yamamoto H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
97.
Dark current optimisation of 2.5 /spl mu/m wavelength, 2 mismatched InGaAs photodetectors on InP
机译:
暗电流优化2.5 / SPL MU / M波长,2%不匹配的INGAAS光电探测器在INP上
作者:
DHondt M.
;
Moerman I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
98.
Low-noise bias reliability of AlInAs/GaInAs MODFETs with linearly graded low-temperature buffer layers grown on GaAs substrates
机译:
alinas / Gainas Modfets的低噪声偏置可靠性,在GaAs基板上生长线性渐变的低温缓冲层
作者:
Wakita A.S.
;
Rohdin H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
99.
New method for reduction of carrier lifetime in semiconductor optical amplifier using assist light
机译:
用辅助光,半导体光放大器中载流量寿命的新方法
作者:
Tsurusawa M.
;
Usami M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
100.
Effects of thermal annealing on InAsP/GaInP strain-compensated multiple quantum wells
机译:
热退火对INASP / GAINP应变补偿多量子孔的影响
作者:
Mei X.B.
;
Tu C.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1998年
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