机译:金属有机蒸气相外延(MOVPE),氢化物(或卤化物)蒸气相外延(HVPE)和分子束外延(MBE)生长的III型氮化物的热力学分析
机译:通过氢化物气相外延和冷却过程中的自分离来制造独立的2“ -GaN晶片
机译:通过具有超低位错密度的Si掺杂金属有机气相外延GaN模板,通过氢化物气相外延生长的高质量2英寸大块自由态GaN
机译:氢化物气相外延在光电器件制造中的独特性
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:通过氢化物气相外延从硅衬底提取的独立式GaN晶体中电子陷阱能级的初步观察
机译:基于分子束外延的基于III-V族材料的红外应用光电器件的制备与表征
机译:俄亥俄州立大学合作研究与开发协议(CRDa)。分子束外延(mBE)晶体生长和光电子器件表征