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张育民; 王建峰; 蔡德敏; 徐俞; 王明月; 胡晓剑; 徐琳; 徐科;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;
苏州纳维科技股份有限公司,苏州215123;
氢化物气相外延生长; 氮化镓; 晶体生长; 掺杂; 光电性能; 缺陷;
机译:氯化物氢化物气相外延生长的大氮化镓单晶的光学性质
机译:预应变金属有机气相外延氮化镓模板对氢化物气相外延生长的影响
机译:氢化物/金属有机物气相外延系统中氮氧化硅介导的氮化镓在硅(111)衬底上的外延
机译:SiC /(001)Si异质结构氢化物 - 氯化物气相外延生长半极性氮化镓层的透射电子显微镜研究
机译:通过氢化物气相外延形成氮化镓模板和独立衬底,用于III族氮化物器件的同质外延生长。
机译:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速率超过300μm·h-1
机译:通过直接在连续氢化物气相外延(HVPE)过程中直接形成的多肽中间层(GaN)的自由型氮化镓(GaN)的生长
机译:氢化物气相外延生长氮化镓中杂质的作用
机译:用于光电子学,特别是用于强发光二极管的氢化铝气相氮化铟单晶生产氢化物气相外延方法,涉及利用铝,镓和铟金属的混合物
机译:气相外延生长方法,半导体衬底的制造方法,半导体衬底和氢化物气相外延装置
机译:单晶氮化镓衬底,其制造方法的下层衬底以及单晶氮化镓衬底的氮化镓生长
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