机译:氢化物/金属有机物气相外延系统中氮氧化硅介导的氮化镓在硅(111)衬底上的外延
Naval Research Laboratory, Code 6882, Power Electronic Material Section, 4555 Overlook Avenue, SW, Washington, DC 20375, USA;
gallium nitride; MOCVD; HVPE; silicon; oxynitride;
机译:氮化镓基材的氢化物气相外延
机译:氢化物气相外延在(111)硅衬底上生长的InGaN纳米棒
机译:硅衬底上氮化物材料的氢化物气相外延的特定特征
机译:氢化物气相滴定法测定氮化镓纳米粒子的性能
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:GaN纳米线的氢化镓气相外延
机译:通过直接在连续氢化物气相外延(HVPE)过程中直接形成的多肽中间层(GaN)的自由型氮化镓(GaN)的生长
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。